第三代半导体材料行业热度不减快充爆发

今日上午，奥海科技在互动平台表示，公司已自主研发出快充氮化镓产品。而在上周五，聚灿光电公告称，拟投资约35亿元建设扩产项目，主要产品为Mini/MicroLED氮化镓、砷化镓芯片。

记者了解到，第三代半导体材料以氮化镓(GaN)、碳化硅(SiC)、氧化锌(ZnO)、金刚石为四大代表，是 5G 时代的主要材料。虽然第三代半导体尚处于发展初期，但市场前景广阔。根据Omdia发布的《2020年SiC和GaN功率半导体报告》显示，到2020年底，全球SiC和GaN功率半导体的销售收入预计8.54亿美元。未来十年的年均两位数增长率，到 2029 年将超过50亿美元。

中芯国际创始人张汝京此前曾表示，第三代半导体IDM模式是主流。记者注意到，在第三代半导体相关公司中，科创板上市公司华润微即采取了IDM模式。

华润微披露的半年报显示，公司现有在研项目之“硅基氮化镓功率器件设计及工艺技术研发”，该项目预计总投资2.44亿元，已累计投入1082.84万元。该在研项目拟达到的目标是，完成650V硅基氮化镓器件的研发，建立相应的材料生产、产品设计、晶圆制造和封装测试能力。据了解，产品将应用于智能手机充电器、电动汽车充电器、电脑适配器等领域。

另外，GaN充电器具有功率大、体积小、效率高的特点，是超级快充技术突破的关键，因此机构预计下半年开始将成为旗舰手机标配进而迎来爆发式增长。

在今年2月披露的招股书中，针对“前瞻性技术和产品升级研发项目”，华润微称，公司拟在快充电源控制芯片、智能音频功率放大器等壁垒较高且未来增长较快的细分领域开展进一步研究，具体包括2W-100W各种功率段的音频功放产品的研发及基于GaN的PD电源控制芯片研发等。

记者注意到，在今年半年报中，华润微已经在开发“基于GaN的快充方案及芯片研发”的项目，该项目拟投入资金3948万元，截至半年报披露累计投入74.51万元。该项目拟达到的目标是采用新型的GaN器件控制及驱动技术，开发GaN器件的驱动芯片及基于GaN器件的快充电源系统方案。

除 GaN外，对于第三代半导体材料——碳化硅，华润微拥有的国内首条 6 英寸商用 SiC 晶圆生产线正式量产。今年7月4日，上海慕尼黑电子展期间，华润微电子功率器件事业群正式向市场投入1200V和650V工业级SiC肖特基二极管系列产品，产品可广泛应用于太阳能、UPS、充电桩、储能和车载电源等领域。

需要注意，碳化硅器件价值链可分为衬底——外延——晶圆——器件，其中衬底所占的成本最高为50%，主要原因单晶生长缓慢且品质不够稳定，这也使得碳化硅价格高，没有得到广泛的推广。

华润微则在报告期内通过华润微电子控股有限公司与国内领先的碳化硅外延晶片企业-瀚天天成电子科技(厦门)有限公司(以下简称“瀚天天成 ”)达成《增资扩股协议》，增资后公司持有瀚天天成3.2418%的股权。

围绕着第三代半导体材料业务布局相关情况，记者今日多次联系采访华润微，但电话无人接听。

除华润微外，扬杰科技同样采取的IDM的经营模式，今年半年报显示，扬杰科技的产品包含碳化硅SBD、碳化硅JBS等。