Intel、AMD四核心芯片面积比较

Intel最近又陆续透露了45nmPenryn处理器的不少消息，这里我们来看一下有关集成晶体管数量和核心芯片面积的问题，并与AMD的同类产品进行一下对比。
45nmPenrynWolfdale原生双核心采用45nm工艺制造，将集成接近4亿个晶体管，二级缓存6MB，核心面积107平方毫米。由于Intel仍是继续采用双DIE拼接的方式制造四核心处理器，因此四核心版本的PenrynYorkfield/Harpertown集成8.2亿个晶体管，二级缓存12MB，核心面积107×2＝214平方毫米。
作为对比，目前的65nmConroeCore2Duo双核心集成2.91亿个晶体管，二级缓存4MB，核心面积143平方毫米，ClovertownXeon四核心则是6.81亿个晶体管，二级缓存8MB，核心面积143×2＝286平方毫米。
Intel的第二代45nm处理器代号Gainstown，最多八个核心，不过还是双DIE设计，并集成内存控制器、进一步加大缓存容量，因此核心面积有所增大，预计双核心版本为191平方毫米。
AMD方面，K10BarcelonaOpteron采用65nm工艺，集成4.63亿个晶体管，二级缓存4MB。由于是原生四核心设计，而且晶体管数量较少，Barcelona的核心面积更小一些，只有283平方毫米。