据台媒报道，台积电冲刺先进制程，在2nm制程研发取得重大突破，已成功找到路径，将切入环绕式栅极技术 ( gate-all-around，简称 GAA ) 技术。据悉，台积电还为此举办了庆功宴，感谢工程师们的全心投入。台媒称，三星已决定在3nm率先导入GAA技术，并宣称要到2030年超过台积电，取得全球逻辑芯片代工龙头地位。台积电研发大军一刻也不敢松懈，积极投入2nm研发，并获得技术重大突破，成功找到切入GAA路径。业界推断认为，台积电3nm制程预计明年上半年在南科18厂P4厂试产、2022年量产，2nm推出时间将在2023年到2024年间。近日，台积电公布了其 6 月份的营收，6 月份营收 1208.78 亿新台币，折合约 41 亿美元。这是 1999 年至今的 22 年里，台积电的月度营收首次超过 1200 亿新台币。同 5 月份相比，台积电 6 月份的营收增加 270.59 亿新台币，环比大增 28.8%。三星方面，原定于2021年量产的三星4nm被跳过，将由5nm直接上升到3nm GAAFET，用于未来的市场竞争。三星此前曾透露，3nm GAAFET相较于7nm FinFET，可以减少50%的能耗，增加30%的性能。来源：OFweek维科号-科技最前线
新闻来源：OFweek电子工程，文中所述为作者独立观点，不代表icspec立场。更多精彩资讯请下载icspec App。如对本稿件有异议，请联系微信客服specltkj。
