IR针对工业应用推出具有超低导通电阻的75V MOSFET以扩充StrongIRFET系列

全新75V StrongIRFET功率MOSFET系列配备可提升低频应用性能的超低导通电阻 (RDS(on)) 、极高的载流能力、软体二极管，以及有助于提高抗噪性的3V典型阀值电压。该系列的每款器件都完全通过业界最高雪崩电流级别的雪崩测试，能够为要求严格的工业应用提供最坚固耐用的解决方案。新组件都采用穿孔式封装。

IR亚太区销售副总裁潘大伟表示：“IR 的75V StrongIRFET器件系列具有超低导通电阻，而且完全通过严格的行业级雪崩测试，以确保产品坚固耐用。新组件提供基准性能MOSFET以供选择，旨在为工业市场作出优化。”