芯片制程大PK：Intel 10nm，三星3nm，IBM 2nm，台积电1nm

目前全球的IT产业一年的规模超过10万亿美元，在全球半导体芯片缺货涨价的趋势下，各大芯片公司开启了硬核竞争模式：三星首发3nm，IBM推出2nm，台积电突破1nm，而英特尔这边，还在10nm边缘徘徊。

台积电、三星这两大代工巨头在芯片制程上不断前进，你追我赶，再次印证了中国互联网市场的规律，老大和老二打架，把老三intel甩到了身后。

三星3nm

3月份的时候，三星全球首发了3nm的芯片，这是一颗3nm的SRAM芯片，容量达到了256GB，但面积只有56平方毫米，采用了GAAFET晶体管工艺。

三星这颗3nm的芯片推出后，很多人表示，这次三星可能要领先于台积电了，因为三星这次确实在技术上似乎领先了，毕竟使用GAAFET工艺，而台积电之前表示3nm芯片还使用FinFET晶体管工艺。

IBM2nm

前不久，IBM全球首发了一颗2nm工艺的芯片，与三星的3nm芯片一样，采用的是GAAFET晶体管技术。

IBM的这颗芯片，晶体管密度达到了3.33MTr/mm²，也就是3.3亿个每平方毫米。这个密度相比于台积电、三星公布的3nm技术，先进了一大截。

很多认为在这波竞赛中，似乎台积电落后了，毕竟三星3nm芯片首发了，IBM的2nm芯片也有了，台积电还没动静啊。

台积电1nm重大突破

台积电也在近日表示自己取得了1nm以下制程重大突破。

台积电是与台大、美国麻省理工学院合作研究，发现了用二维材料结合「半金属铋（Bi）」能达极低电阻，接近量子极限。

利用这种技术，有助实现半导体1nm以下制程挑战，因为它能够解决二维材料高电阻及低电流等问题。

从实际来看，除了三星的3nm技术是基本靠谱，明年可量产的技术外，像IBM的2nm，还有台积电的这个「半金属铋（Bi）」技术，更多的还是在理论阶段，但这无不表明，芯片战争真的无止境。

Intel10nm

Intel的桌面和服务器CPU处理器一直没有实现更先进的制程，今年新CEO基尔辛格执掌大印后才开启技术路线，预计今年将推出10nm，7nm已经takein。

今年下半年，Intel将推出代号为AlderLake的12代酷睿处理器，升级10纳米ESF工艺和GoldenCove架构，首次使用大小核架构，最多16核24线程。

在服务器领域中，Intel推出了14nm工艺的CooperLake处理器，也就是第三代至强可扩展处理器，最多28核心56线程(八路就是最多224核心448线程)，部分型号增加了核心数量，同时频率更高，基准频率提升至最高3.1GHz，单核睿频加速最高则可达4.3GHz，三级缓存最多38.5MB(每核心对应1.375MB)，热设计功耗150-250W。

结语

当然Intel的处理器架构与其他Arm架构有所不同，制程也不能用简单的数字进行比较。三星的3nm可能是目前能够最快量产的制程，台积电的1nm也只是取得重大突破，离实际量产应该还有一段距离。

不过，制程之争已经成了芯片设计与代工领域最重要的方式。

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