从四个方面看中国存储芯片崛起的艰难

昨日，总投资300亿人民币的紫光南京半导体产业基地和总投资300亿人民币的子港国际城项目正式开工。这是紫光集团继长江存储项目之后的另一个大“动作”。据报道，紫光南京半导体产业基地项目由紫光集团投资建设，主要产品为3D－NAND Flash、DRAM存储芯片，占地面积为1500亩。其中项目一期投资约100亿美元，月产芯片10万片。。

但外媒对这一动作感到疑惑。因为从他们早前的分析看来，就算是武汉新芯项目，似乎也没有足够的技术来支持存储芯片制造。紫光这次想通过南京的项目来主导全球存储产业，似乎并不能一蹴而就，当中还需要有很多的障碍需要跨越。首当其冲的就是有经验的存储芯片工程师的缺乏和美国CFIUS因所谓的安全问题将中国拒之门外。

而根据新浪科技早期的报道，赵伟国在月前的一个庆典上说到：“在刚过去的2016年，我们在武汉打造了一个存储基地。进入2017，我们将会在南京和成都再建设两个半导体制造基地。这三个项目的总投资总额将超过700亿美金，清华紫光在未来将主导芯片制造业”。

分析师认为，紫光集团的这个投资速度是非常惊人，但他们也指出，建设一个晶圆厂是一个非常简单的事情，而需要面临的则是运营问题，尤其是在制造更复杂的3D NAND Flash上，紫光集团面对的困难也是空前的。

对半导体有深入研究，并写过基本关于日本半导体发展的书的作者Takashi Yunogami曾经对武汉新芯的3D NAND Flash项目有些许怀疑。但最近他改变了看法，他告诉我们，从材料和设备供应商与中国的合作中他能看出，或许会有新的转机。

那么究竟中国建设存储项目需要面对那些方面的问题呢？我们来一一分析。

工程师短缺

Yunogami表示，中国正在全球掀起一场对有天赋工程师和制造NAND Flash设备的争端战。而同样的事情也在中国本土发生，不同的省市也在掀起了Fab工厂合作的竞争。

在分析中国存储制造技术相关方面之前，我们先看一下中国有哪些正在崛起的存储供应商。

在IC Insights副总裁Brian Matas早期的报告中我们看到，现在中国存储领域有三个主要的竞争者，分别是：

（1）2016年7月，紫光集团收购了武汉新芯，并建立了一个叫长江存储的合资公司。这个12寸晶圆厂将聚焦在3D NAND Flash的生产，至于具体的量产时间，还没有披露。

（2）合肥SKT项目，预估在2017年底建造一个DRMA FAB；

（3）福建晋华项目，准备打造DRAM Fab，预估在2018年第三季度量产；

而据我们得知，在以上三个项目中，合肥的SKT项目已经停止运营了。这个由尔必达前CEO Yukio Sakamoto建立的公司，曾经尝试从日本、台湾和韩国招募1000个存储相关的工程师，以弥补中国在有经验的存储开发工程师的不足，Sakamoto更是想从日本寻找180个能够迁到中国来工作的工程师，但这个提议遭到了合肥当地政府的反对，因为他们不愿意满足Sakamoto提出的，给这些资深工程师多付887，000美元工资。

尽管SKT的承诺超过了半导体行业的正常现象，但这也给了中国半导体人一些新的方向。一个能够笼络工程师去保持他们Fab继续运行的方法。

在上个月的一次采访中，有个工程师跟我们说，中国不但需要考虑专利短缺的问题，中国更需要明晰隐藏在专利背后的制造诀窍。甚至连怎么安排wafer的的存储都是需要慎重对待的问题。例如这些经验并不能通过获得，而要通过不懈的学习。

而在设备方面，长江存储方面表示，他们现在用的半导体设备和三星在西安工厂所使用的是一样的（三星的西安工厂只制造32层的NAND Flash，64层的NAND Flash是在韩国本土制造）。Yunogami也认同这种观点。

但Yunogami进一步指出，虽然长江存储能买到同样的设备，但他们缺少有经验的人去操作这些设备。

总有方法去解决这些问题。纵观存储产业的发展历史，中国可以向韩国学习，而这也是中国正在做的事情。

我们认为，对于长江存储来说，首先要做的事就是从三星西安这些公司挖角晶圆厂操作工人。之后可以从三星和SK海力士挖一些高级的工程师。再看能够从美光和东芝获取一些相关的技术信息。这是紫光解决问题的方法之一。

根据Yunogami介绍，韩国存储以前在追赶日本DRAM的时候，用过同样的方法。

是个世纪90年代，三星花费重金从日本招聘DRAM工程师。当时那些工程师可以保留白天的工作，而可以在晚上或者周末为三星服务。通过这些兼职工作，工程师们能获得高额的报酬。就是通过这种方式，三星逐渐发展其了其DRAM产业。

而二十多年后的今日，韩国受到了当初日本的对待。虽然中国并没有韩国当初那么疯狂，但没有什么方法可以组织长江存储招聘来自西安三星的工程师。

相关进展

据之前的报道，长江存储计划斥资240亿美元打造一个12寸的晶圆厂，第一期工程在2016年底就开启了，并计划在2019年完成。而报道中更是指出，长江存储的产能高达20万片每个月，而主要的生产产品则是32层的NAND FLASH。

长江存储武汉基地的建设布板