从“三部曲”看大功率半导体国产化趋势

　　五月初，我国首条8英寸IGBT芯片生产线在株洲正式投产。

　　IGBT，学名绝缘栅双极晶体管，是全球最为先进的第三代主流功率半导体器件之一。在电能系统，其地位相当于计算机世界中的“CPU”。

　　当前我国IGBT产品整体发展处于起步阶段，株洲所是我国唯一全面掌握IGBT从芯片设计—模块封装—组件—应用全套技术的企业，也是唯一建立了1200伏及以上高等级功率IGBT技术及模块技术完善的产品体系的企业。

　　这，不仅得益于企业50年大功率半导体器件研制的历史积淀，更归功于它跨越大功率半导体国产化“三部曲”时的巧劲与智慧。

　　“并购曲”：资本运作与技术创新完美之作

　　2008年10月31日，中国功率半导体产业具重大意义的历史性日子，株洲所下属子公司南车时代电气成功收购加拿大丹尼克斯半导体公司75%的股权。

　　丹尼克斯公司是世界上少数的集设计、研发和制造能力于一体的独立的电力电子器件制造商之一，其拥有的一条4英寸IGBT芯片设计、制造、模块封装的完整全套技术，是中国南车[0.00% 资金 研报]所看中的，尽管这条技术线并不能完全满足中国市场的需求。而丹尼克斯公司缺乏的应用技术市场与资金，恰恰是株洲所的优势所在。

　　这样“双赢”的并购，可称“天作之合”。此为株洲所执行董事、总经理丁荣军感慨之言，这起并购案，可使公司具备大功率高压晶闸管、IGCT和大功率IGBT等完整的产品结构，并为国内外电力电子装置制造企业提供大功率半导体器件全套解决方案。

　　“通过资本运作与技术创新，成功实现了IGBT模块的国产化，改变了我国IGBT技术及变流器产品长期受制于人的被动局面。”行业专家对并购案如此高度评价。此后，为使得丹尼克斯公司4英寸IGBT全生产线生产出的产品能在中国“服水土”，满足我国轨道交通的应用，株洲所付出了很大的努力，就在这条旧生产线的基础上，公司自主研发并组建了新的6英寸IGBT全生产线。

　　“蓄力曲”：海外研发助推技术更上层楼

　　并购丹尼克斯半导体公司，为中国南车实现IGBT技术的突破打开了一扇窗。

　　为了更好的吸纳全球，特别是欧洲顶尖技术和人才资源，加速中国南车IGBT技术及产业化进程，2010年，公司在英国组建起功率半导体器件海外研发中心。

　　中心成立仅短短两年内，实现了技术和工艺的全面升级；优化改进了1700V、3300V和6500V系列产品；新开发出1600A/1700V、600A/6500V、1200A/3300V等模块以及4500V全压接式IGBT模块，初步支撑起了一个完整的IGBT芯片、模块技术创新体系。2013年底，全面推出了世界先进水平的1500A/3300V，1200A/4500V和750A/6500V全系列高功率密度IGBT芯片与模块，满足了轨道交通、智能电网等高端应用领域的需要，并且实现IGBT制造技术从6英寸到8英寸的跨越。