重读日本半导体兴衰史，中芯国际、寒武纪能学到什么？

7月16日、7月20日，中芯国际和寒武纪分别登陆科创板。前者市值一跃超过6000亿人民币，后者在900亿关口浮沉后也一度突破1000亿人民币。

成立于2000年的中芯国际和仅有5岁的寒武纪在2020年7月交汇于科创板。

有这样两个细节，中芯国际IPO获得566倍超额认购，寒武纪股票涨幅一度达到272．81％。

资本市场对半导体行业公司的追捧，使后者迎来了高光时刻。这高光，被认为是华为、中兴等企业被美国制裁之下的星星之火，承载着国家及国人近二十年的半导体梦。

而我们的邻国日本，在1970－2000年的三十年时间里，其半导体产业经历了崛起、鼎盛、衰落和转型的产业周期，今天我们借中芯国际、寒武纪上市的机会，再重新读一次日本半导体产业的兴衰史。

1

崛起

西条都夫2019年曾在《日本经济新闻》发表了一篇题为《日本半导体行业没落的四个原因》的文章。
文章称，对平成年代（1989年至今）的日本来说“逃掉的都是大鱼”。这句话中所说的大鱼无疑是指“半导体行业”了。

上世纪70年代初，日本半导体产业整体落后美国十年以上，日本国内半导体制造设备的国产化比率只有20％。

70年代中期，日本本土半导体企业遭遇了两件事情，令日本开始警醒。

一是日本1974年在美国压力下被迫开放其国内计算机和半导体市场。

当时在技术上有着碾压优势的IBM如入无人之地，横扫日本各大企业。仅仅用了一年时间就占领了日本计算机市场40％的份额，而日本的计算机厂商在国内市场的份额从1970年的60％下降为1974年的48％；

另一件事是IBM公司开发的被称为未来系统（Future System，F／S）的新的高性能计算机中，采用了远超日本技术水平的一兆的动态随机存储器。

而这个动态随机存储器就是大名鼎鼎的DRAM（Dynamic Random Access Memory）。

面对技术上严重落后的现实和严峻的市场挑战，日本开始反击。

1976－1980年，由日本政府牵头发起了“VLSI联合研发计划”，相互竞争的东芝、三菱、日立、富士通、日本电气这些大企业集中自己的优势攻克技术难题，集中力量办大事。

“VLSI联合研发计划”主要在三个层面推动日本半导体产业发展：

第一，资金。

1976年至1980年，通产省补助金总支出为592亿日元，其中用于支持VLSI项目研究的补助金支出为291亿日元，占通产省补助金总支出的49．2％，而这四年VLSI研究协会的总事业费约为737亿日元（约合2．4亿美元，这不是一笔小数目，作为对比当时中国的外汇储备只有1．8亿美元）；

第二，人才配置。

“VLSI联合研发计划”设立了6个联合实验室，分别攻关高精度加工技术、硅结晶技术、工艺处理技术、监测评价技术、装置设计技术等核心工艺和技术；

第三，人尽其才。

VLSI协会根据相关技术的可市场化程度分配研究任务，对于通用性和基础性技术，在联合实验室进行研发；对于技术的应用性研究则由企业在各自独立的企业内部实验室进行，这种安排即保证了企业间在集中攻关上的合作，又促进了企业在应用研究上的竞争。

VLSI协会对于日本半导体产业的积极意义是空前绝后的。

我们来看看它取得的丰硕成果：这四年中VLSI项目申请的专利件数达到 1210件（大约50％的申请来自于联合实验室），其中商业专利347件，共大约有600项获得了专利权。

成功开发出了VLSI所必需的微细加工技术、大口径单结晶培育技术等结晶技术，理论设计、CAD等设计技术，膜形成、结点形成等工艺技术，元件、材料等的试验评价技术等基础技术，同时也开发了适用于这些技术的逻辑元件和存储元件的制造技术。

再看上文提到的存储器，70年代中期日企的4K DRAM销售额只占全球的10％，但在16K的DRAM中，由于NEC、富士通等奋起直追，日企的全球销售份额扩大到了30％以上。

在VLSI项目的推动下，日企率先将64K DRAM（1980年研制成功，比美国早半年）推向市场，以至日企的64K DRAM国际市场占有率攀升到了55％，超过了美国。

VLSI 项目是日本“官产学”一体化的重要实践，将五家平时互相竞争的计算 机公司以及通产省所属的电子技术综合研究所的研究人才组织到一块进行研究工 作，不仅集中了人才优势，而且促进了平时在技术上互不通气的计算机公司之间的相互交流 、相互启发，推动了全国的半导体、集成电路技术水平的提高，为日本半导体企业的进一步发展提供平台，令日本在微电子领域上的技术水平与美国并驾齐驱。