国产内存即将到来 可业内却判DDR死刑

早在2017年，国内公司进军内存产业的消息便一直甚嚣尘上，其中的代表便是紫光公司，拥有国家政策与资金的扶持之下，终于做出了重要的突破。在今年上半年，凭借英飞凌、奇梦达的基础在DDR3内存上取得了突破，下半年更会推出主流的DDR4内存芯片。似乎中国已经要赶上国外主流水准，但是业内却传出DDR内存已经过时，新的内存即将取代，这无疑给国内的DDR内存制造厂商当头一棒。

DDR全球格局

DDR内存全称是DDR SDRAM（Double Data Rate SDRAM，双倍速率同步动态随机存储器）。最早是由三星提出，由日本电气、三菱、富士通、东芝、日立、德州仪器、三星及现代等八家公司协议订立的内存规格，并得到了AMD、VIA与SiS等主要芯片组厂商的支持。如今已经成为21世纪主流的内存规范。

目前世界上主要有3位DRAM领域的大佬，三星、SK海力士以及镁光，这三家占据了市场上95%的份额，国内的厂商也是希望能够打破这种局面，让自己的产品在世界上占有一席之地。

目前来说，市面上主流的内存依然是DDR4，并且DDR5已经蓄势待发，即将进入市场，但即使是这样，DDR内存带宽的提升速度依然跟不上时代的脚步，因此有业界人士提出DDR内存即将淘汰的看法。

HBM的崛起

取代者为带宽更高的HBM内存，2020年就会上市HBM 3内存，2024年则有望生产出HBM 4内存，届时带宽可达8TB/s，单插槽容量可达512GB。

对于DDR内存，可能大家都还有所了解，但是对于HBM内存，也只有那些热衷于DIY组装的玩家才会知晓。目前市面上只有HBM 2内存，核心容量可达8Gb，通过TSV技术可以实现每个CPU支持64GB HBM2内存，每路插槽的带宽可达2TB/s，而到了HBM 4时代，每个CPU支持的容量可达512GB，带宽超过8TB/s。

相比目前AMD的RPYC处理器，其支持8通道DDR4内存，最高容量能达到2TB，但是带宽只有150GB/s，与HBM内存相比还有所差距。

AMD在2015年发布的Fury系列显卡上，首次商用了第一代HBM技术，超高的带宽以及极低的占用面积彻底改变了当时的显卡设计，随后NVIDIA也在Tesla P100上采用了HBM 2 技术。

总体来说，相比于DDR内存，HBM内存的带宽优势更为明显，在一些需要高带宽的场合中，HBM无疑是更好的选择，比如HPC高性能计算机行业就非常需要HBM支持。