比DRAM便宜 比闪存快70倍 IBM相变存储优势多

　　尽管闪存的存储速度已经很快，却逐渐难以满足大数据时代的需求。IBM的科学家意识到了这个问题，因此，新一代的存储技术已经诞生，这一技术便是相变存储（phase-change memory ，PCM）。

　　深蓝巨人又要引领变革？

　　事实上，PCM相变存储并非什么新鲜的技术，在过去的几十年以来PCM技术一直被使用在光盘上。只不过在过去业界认为，PCM成本过高，而且每个单元只能储存1或2个比特位数据，并不能很好的应用于存储方面。

　　IBM相变存储（图片来自网络）

　　而此次IBM的科学家所做出的主要贡献便在于扩展每个PCM单元中可以容纳3比特位数据。此外，PCM可以利用电流实现在非晶玻璃上写入和读取数据，这也使得PCM技术比闪存更快，能力更强。

　　“相变存储技术将会和DRAM、闪存一样成为通用存储器，我们做出了第一个实例，从而完成了行业的一个巨大大挑战。”IBM首席研究员Haris Pozidis在瑞士苏黎世IBM研究中心如此说道。

　　IBM首席研究员Haris Pozidis

　　“达到每单元3比特位是一个重要的里程碑，因为在这个密度PCM的成本将大大低于同等性质的DRAM或者闪存。”目前，大部分的智能手机和笔记本电脑采用了DRAM和闪存结合的方法进行存储，前者通常作为动态存储设备，后者被用来存储长期数据。

　　在过去，阻碍PCM的最大因素是其成本，但是在现在，于成本之外PCM能够提供更多的优势，而且这些优势远大于其成本的投入。这也是PCM可以取代现有存储的前提条件。

　　PCM并没有DRAM快，但是却便宜太多

　　PCM吸取了DRAM和闪存两者共同的优点。尽管PCM的速度并没有DRAM那么快，但是，DRAM的价格要比PCM贵太多，却只比PCM快5到10倍。而PCM的速度却可以比闪存理论上快70倍，在实际应用中往往超过100倍。