Micron 宣布DDR4存储器模块研发完成

    Micron 透过新闻稿正式宣布该公司首个DDR4 DRAM 模块已经开发完成，同时已经开始提供样品让主要客户进行测试，预计2013年将能够开始量产。

    根据 JEDEC 的规划，企业端以及服务器市场将会率先使用 DDR4 存储器模块，它将比目前的 DDR3 存储器拥有更高的工作时脉却使用较低的电压。此次 Micron 所宣布的 DDR4 存储器模块是与 Nanya 基于 30nm 制程偕同开发。在单挑存储器模块内，拥有 8 颗 4Gbit DDR4 颗粒，同时将会涵盖了 RDIMMs、LRDIMMs、3DS、SODIMMs 以及 UDIMMs (一般和ECC) 等存储器模块。

    传输速率部份可达 2400 – 3200 MT/s。

    在 JEDEC 正式对 DDR4 标准制定完成之后，Micron 预期在 2012 年底进入大量生产阶段。