铁电体内存(FRAM)的供应商之一Ramtron由于在与IBM公司合作的FRAM芯片制造技术方面遇到问题，导致其FRAM产量提升计划受阻。本月 21日，Ramtron公司公开了今年第一季度的营收数字，据公布的信息显示，今年第一季度该公司的营收额仅达1060万美元，比去年同期的1580万美元下滑了33%左右。
该公司今年第一季度的净亏损额达到了240万美元，公司的股票价值则出现-0.09美元的负增长。相比之下，去年同期公司的净收入额则达到41.5万美元，同期每股股值上扬0.02美元.Ramtron这次公开的2011年第一季度营收数据已经计入了一笔价值为34.7万美元的股票补偿支出，以及140万美元的所得税退税收入。
PS:FRAM铁电体内存简介
资料图片：德州仪器制造的FRAM解剖图
铁电体内存采用单晶体管+单电容(1T-1C)的内部结构，类似于常规DRAM，不过在数据存储单元部分使用的是电极化型材料，这种材料具备非易失存储特性。而且由于结构简单，因此FRAM器件的体积在同等制程的条件下相比闪存和SRAM要小许多。 Ramtron目前的情况不容乐观。今年一月份，公司接受了原CEO Bill Staunton的辞呈，并任命原CFO兼董事会成员 Eric Balzer为新任CEO。
另外一方面，如何提升Ramtron交付代工的铁电体内存芯片的产量问题也已经成为困扰IBM许久的一道未解难题。产量的低迷导致Ramtron铁电体内存芯片产品销量骤减，甚至已经惹恼了不少订货的客户。2009年，Ramtron与IBM公司达成代工协议，IBM公司随后便在其位于美国伯灵顿的芯片厂安装了用于生产Ramtron FRAM产品的180nm制程产线。当时，Ramtron希望利用IBM的180nm制程，能在2010年制造出首块FRAM芯片成品。
不过直到今年，IBM也未能达成Ramtron预期的目标，而按照原有的计划，IBM本该在去年年底前就应该开始为Ramtron代工量产其FRAM产品。IBM为Ramtron代工的FRAM将基于CMOS工艺。
除了IBM之外，德州仪器和富士通均已与Ramtron公司签署了FRAM芯片的代工协议。而富士通虽然仍然还在为Ramtron生产FRAM，但Ramtron发往这家公司的订单已经日渐减少。再加上IBM又在产能提升方面遇到麻烦，如此德州仪器公司便不得不独立接下这只烫手山芋。
Ramtron的现任CEO Eric Balzer自己也承认公司现在的状况令人难堪，他说：“大多数我们的客户会继续和我们合作，不过他们对目前的现状不太满意。”
在最近举办的一个电话会议上，一位分析师甚至当场抱怨称：“我的股票亏了这么多，我要怒了！”--此君显然持有这家公司的股份。今年1月19日，Ramtron的股价为3.13美元，到4月23日，公司的股价则跌到了2.39美元。
据Ramtron的现任CEO披露，尽管Ramtron还没有放弃催促IBM尽快提升FRAM产量的努力，但是目前为止IBM仅向Ramtron交付了数量极为有限的验证用样品芯片。而且“IBM公司最近提交给我们的产品则没有达到我们的性能预期，我们原来希望FRAM芯片的寿命测试结果能达到1000小时的水平，但经过1000小时测试之后，我们发现芯片中存储的一个位数据出现了丢失现象。这样的结果是我们无法接受的。我们正在努力改善制程，以图增强FRAM产品的耐久性表现。修正后的芯片样品定于6周后进行测试。”
“今年第一季度，我们在缓解芯片供应紧张方面可谓成果显著。该季度我们的芯片产能将提升两倍，目前我们已经在着手扩充我们的芯片测试产线，以满足芯片产能提升的需要。一旦我们的芯片产能与芯片测试能力在第二季度达成平衡，我们将能够对外提供产量稳定的芯片，我们的营收也会回复增长。综合考虑市场对FRAM的强劲需求和我们在提升芯片产能方面所做出的努力，我们很有信心达成今年上半年营收额达2500万美元的计划。不过，由于需要尽快促成芯片产量的提升，因此我们在技术研发上的投资力度不会减轻，这样，我们预计第二季度公司的利润水平将呈现总体收支平衡，或微微获利的局面。”
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