全球大厂转进3D NAND制程旺宏为下半年出货热身

随着国际NAND大厂3D NAND技术堆叠层数升级，台系记忆体厂旺宏开发的3D NAND将从2020年下半出货，从利基型市场应用开始着手，而中国大陆业者长江存储日前宣布128层3D NAND研发成功，在供应链陆续配合到位，出货规模亦将逐步拉升。

旺宏董事长吴敏求指出，由于各厂产能接近满载，第2季营运将可望与第1季相当，2020年成长动能将来自于NAND与高密度的NOR Flash产品，尤其是各家业者转进3D NAND制程后，8Gb以下低密度SLC NAND将面临供需失调，未来有持续涨价空间。

旺宏19奈米SLC NAND制程从2019年下半量产后，预计下半年各类应用的需求将增加，主流产线将从36奈米转向至19奈米SLC NAND，从短期内机上盒等消费性应用，将逐步推展至车用资讯娱乐系统等各项领域。

在3D NAND部分，旺宏规划在2020年下半开始出货，不过吴敏求认为2020年3D NAND贡献比重仍低，随着96层3D NAND开发完成，2021年下半将带来较明显的营收贡献，并预计于2022年量产192层3D NAND，短期内旺宏3D NAND将应用于利基型产品，不会与国际大厂直接竞争。

旺宏2020年4月营收达新台币34.28亿元，月减11.7%，较2019年同期增加64.4%，呈现连3个月创下同期新高，预期2020年上半将可望优于往年表现。长江存储成为中国半导体产业自主化的关键角色，从2019年9月起跨入64层3D NAND量产，128层NAND可望从2020年底~2021年上半量产，市场认为，长江存储2020年底128层产品产量十分有限，64层NAND良率提升与产能拉升将是主要目标。

NAND控制晶片厂群联电子表示，目前旗下全系列控制晶片可支援长江存储3D NAND，双方从2016年开始接洽合作，并从最早期的32层3D NAND导入验证，近期64层3D NAND也取得群联全系列控制晶片支援并进入量产阶段，包括高阶PCIe SSD控制晶片、行动装置的UFS控制晶片以及备受关注的NM Card(Nano Memory Card)控制晶片等。

群联董事长潘健成表示，长江存储产品品质已受到特定应用市场的验证与认可，未来有机会在各储存应用领域逐渐普及，未来二家将携手先从消费储存应用开始，逐步延伸至工控嵌入产品以及企业级伺服器等高阶储存应用，目前也已安排研发团队着手支援长江存储的128层3D NAND产品。

长江存储在3D NAND迈入量产之际，搭配供应链阵容持续壮大，包括威刚科技、江波龙、忆联及慧荣等都是合作伙伴，近日中国IC业者国科微也宣布与长江存储达成大规模采购协定，预计将采购长江存储64层NAND产品，全年采购金额可望突破人民币亿元。