DRAMeXchange研究协理杨文得表示，今年消费性电子产品市场持续衰退，因此需求端的成长只能透过平均容量（Content Per Box）的增加，然而在2D-NAND制程转进逼近最后世代、3D-NAND Flash制程转进不断递延的情况下，成本降低的幅度有限，今年NAND Flash制造商将面临营收成长趋缓的挑战。

三星电子
三星电子受惠于高容量企业级固态硬碟的亮丽表现，有效减缓消费型产品出货低迷的冲击。第一季位元出货量单季成长约9%，平均销售单价也仅下滑6~8% ，因此三星电子第一季营收较2015年第四季微幅增加1.2%，NAND Flash产品的营业利益率也较上季提升。
随笔记型电脑固态硬碟渗透率持续提升与资料中心对固态硬碟的需求增加，三星电子今年NAND Flash重点布局依旧锁定在固态硬碟，DRAMeXchange预估2016年三星电子NAND Flash的位元成长率在3D-NAND Flash的比重持续增加下，将优于产业平均水准。
东芝电子
由于营运面临外在压力，东芝在2015会计年度第四季（1- 3月）结束前积极去化库存，因此第一季位元出货量较上个季度大幅增加20~25%，然而第一季智能型手机出货不振，造成零组件平均销售单价下滑13-15%。东芝电子营收季成长12%，而营业利益率也约略持平。
东芝电子15纳米产出比重在第一季度超越70%，TLC产出比重也超过40%，48层堆叠的3D-NAND Flash将在下半年开始送样测试。东芝集团未来将集中资源在NAND Flash项目上，且3D-NAND Flash所需设备投入与资金将比2D-NAND Flash多，DRAMeXchange预估2016年东芝电子资本支出将较2015年增加20%以上。
闪迪
闪迪第一季嵌入式产品线因主要大客户库存调整的影响，营收大幅衰退逾30%，然而随着用户级固态硬碟产品开始触底反弹，及企业级固态硬碟在几个主要数据中心业者的出货开始增加，第一季位元出货量仅季衰退6%，平均销售单价与成本则分别下滑8%与6%，整体产品营收下滑6. 8%，毛利率维持40%。
企业级固态硬碟快速导入15纳米与增加NVMe的产品线为闪迪之后的布局重点，用户级固态硬碟则着眼于15纳米TLC的导入，整体产品成本可望下滑，嵌入式产品线持续拓展15纳米TLC在旗舰智能型手机的应用。此外在生产端上，闪迪今年6月底前将微幅增加5%的晶圆产出，3D-NAND Flash则预计年底前占整体投片量15%。
SK 海力士
SK海力士受到第一季智能型手机主要策略客户拉货减弱的影响，平均销售单价下滑12%，出货量下降11%，营收大幅滑落约24%至6.41亿美元，表现持续疲软。在第一季基期较低且第二季开始中国新款智能型手机的备货需求下，SK海力士第二季位元出货成长率将有30%以上的增幅。
SK海力士14纳米转进为下个阶段2D-NAND Flash的重点，3D-NAND Flash的进度也持续进行，除现今MLC版本的3D-NAND Flash开始导入高容量的UFS和eMMC外，TLC版本的3D-NAND Flash预计第三季末可供样本予客户测试。今年3D-NAND Flash依旧在M12厂生产外，M14厂生产3D-NAND Flash的进度也将自明年启动。
美光
美光2016会计年度第二季（12-2月）非挥发性存储器（Non-Volatile）出货位元季成长11%，但由于营收多来自于易受市场波动影响的零组件销售，因此整体营收季衰退6.9%至10.74亿元。
美光新加坡厂转进3D-NAND Flash的进度加快，Fab10X新厂目前机台设备开始移入准备下半年的量产。3D- NAND Flash的进度上，美光已将用户级固态硬碟送样给各大PC- OEMs业者测试，预期年底前3D-NAND Flash的产出占比将达50%。产品组合上，晶圆与颗粒的销售比重微幅增加，维持超过50%的水准，Mobile NAND约占10-15%，固态硬碟则约15%，其他部分多属车用、网通与工控类产品。
英特尔
由于第一季整体NAND Flash市场呈供过于求，加上其他NAND Flash业者也积极抢进企业级固态硬碟市场，使英特尔营收季衰退16%至5.57亿美元；而平均销售单价下滑幅度大于成本下降，营业利益率也由盈转亏。
现阶段英特尔主要产品为16纳米MLC为主，3D-NAND Flash的企业级固态硬碟在第二季开始送样给全球资料中心业者测试，预计今年下半年可量产出货。3D- XPoint也持续开发中，2017年上半年可开始送样测试。大连厂3D-NAND Flash机台设备已开始移入，预计第三季开始试产，第四季度可量产出货。
新闻来源：TechNews，文中所述为作者独立观点，不代表icspec立场。更多精彩资讯请下载icspec App。如对本稿件有异议，请联系微信客服specltkj。
