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来源:新电子发布时间:2015-02-25207浏览
询问 AI三星(Samsung)在14奈米制程的量产进展抢得先机。三星日前推出一款全新的行动处理器--Exynos 7,该处理器采用14奈米(nm)FinFET架构制程,已正式迈向量产。
三星电子执行副总裁Gabsoo Han表示,三星所开发的14奈米FinFET制程技术是业界先进的逻辑晶片制程技术;三星期望未来透过生产14奈米应用处理器,能进一步强化智慧型手机的性能,并使行动通讯产值快速增长。
据悉,相较20奈米架构设计而成的旧款处理器,这款全新处理器--Exynos 7的性能将增强20%,更重要的是耗电量降低35%,可有效提升手机电池的续航力。此外,三星表示由于该公司采用三维鳍式电晶体(3D FinFET)的架构,因此成功克服20奈米处理器平面结构所带来的性能与体积限制。
据了解,三星新款Exynos 7八核心处理器将率先采用14奈米FinFET制程,未来会扩展应用至其他产品。
记忆体方面,三星近期已成功量产3D垂直(Vertical)NAND快闪记忆体,该3D V-NAND快闪记忆体系三星戮力克服半导体技术限制后的成果。随着三星FinFET制程技术演进,三星逻辑晶片与记忆体规格将持续翻新,可望进一步巩固该公司在半导体市场的地位。
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