Marvell提出“Smart Me”概念 欲引爆智能时代创新革命 来源:集微网 发布时间:2015-05-14 562浏览
今年恰逢国际电联成立150周年。世界电信日的主题，确定为“电信与信息通信技术：创新的驱动力 (Telecommunications and ICTs: Drivers of innovation) ”，以致敬信息通信技术对社会创新和发展的巨大贡献。 随着智能手机成为个人的媒体中心，智能手表、智能眼镜等各种可穿戴设备越来越受欢迎，人类生活迎来了智能时代。Marvell联合创始人、总裁Weili Dai女士认为，可穿戴设备很快将成为智能时代的代表性产品，届时人们身上可能都会带着一部智能手机和几样可穿戴设备，它们除了和人互通，彼此之间也能互连互通。 基于这个判断，Weili Dai女士提出了“Smart Me”概念，意指感知和满足人体生活、工作、情感需求的智能手机、智能手表等各种智能设备，同时这些智能设备会整合人们随身的物品，例如传统的手表、眼镜、项链、耳环，甚至衣服，并具备和学习很多人类的能力，追踪和感应人们的行为，让生活变得更高效、更智能。 但是，技术创新在智能时代似乎遇到了瓶颈。过去三十年，计算能力的进步依靠不断开发更加强大的CPU构建硬件平台，使用容量更大的DRAM内存，存储的成本越来越高；智能手机装载了越来越多的应用，功耗已经达到了使用极限；智能设备的尺寸难以得到根本性解决。迎接“Smart Me”的时代到来，需要有开创性、破坏性的技术出现。 Marvell打算彻底解决这个问题。Marvell首席执行官Sehat Sutardja，过去几年一直在思考计算机设计的全新方法论，并开发了革命性的终级高速缓存（FLC）架构和MoChi互连技术，打造全新的、占用更少主内存的系统。为此Marvell建造了一台模拟器，投入100名工程师对这些技术进行仿真测试验证可行性，并得到了行业专家信服的反馈。 Marvell的FLC架构可以说是一种虚拟化内存技术，能智能分析占用DRAM的闲置进程，将活动进程缓存在少量 DRAM 中，闲置进程放到固态硬盘和普通硬盘，降低90%的DRAM存储，从而降低90%昂贵的DRAM成本，10倍延长电池的使用时间。这一技术不仅仅适用智能手机和可穿戴设备，更适用笔记本电脑和服务器等“大号”的智能设备。 Marvell预测，随着DRAM架构的革命性变革带来的功耗和尺寸大幅缩减，未来数据中心机房可能只有手掌大小。假设全球DARM的市场规模为400亿美元，如果有一半的系统采用FLC技术架构，就可以节约近200亿美元的成本。Marvell将在今年年底生产出第一颗为移动设备设计的原型芯片。 MoChi互连技术则能帮助Marvell和生态链上的其它伙伴，开发出差异化的创新芯片。Dr. Sutardja预计，到2018年，设计一款新芯片需要的掩模组件成本将达1000万美元，掩模成本的急剧上升，最终将触碰到包括Marvell在内的许多芯片设计公司的心理底线。正在研发中的MoChi互连芯片就是要以全新的内连技术（Mochi）替代芯片外互连实现SoC的功能，降低研发与生产成本，并加快上市时间。而且在未来的2.5D芯片堆叠结构中，MoChi和FLC还可以级联起来使用。 “MoChi内联架构使设计生产SoC芯片像搭乐高玩具一样简单。”Weili Dai女士指出。她还宣布将kinoma软件（收购苹果quick time 团队）开源，以简化可穿戴设备的设计，通过软件降低硬件门槛，帮助业界加快可穿戴设备的开发和普及。 Marvell开发的，并不是单一的产品，而是全新的理念和技术。在“Smart Me”时代，业界需要了解用户喜欢使用哪些功能的智能设备，并关注用户的使用场景，FLC架构和MoChi技术，正是帮助业界以更少的硬件、更高的效率设计满足用户喜好的定制化产品。智能时代改变了人们的生活方式，Marvell则帮助加快推动这一时代的到来。
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