联发科直攻10纳米超车高通

业界人士认为，现阶段高阶智慧机需求相对弱，联发科在景气较差时提升技术层次，藉由更先进的10奈米制程，让高阶晶片更轻薄、省电，有助提升产品均价与竞争力，挹注后续业绩动能。

消息人士透露，联发科近日重调产品蓝图规画，原本今年将采用台积电16奈米FinFET 制程生产的高阶晶片“曦力（Helio）X30”临时喊卡，旗下最高阶晶片将改为全力冲刺10奈米产品，与高通比快。

联发科昨（21）日强调，公司内部产品专案代号本来就会调整，今年一定会有一到两颗16奈米和一颗10奈米制程的产品；至于要接续“X20”最高阶晶片位置的“X30”，是采用16或10奈米，现在不便说明。

供应链认为，联发科当初决定先做20奈米产品，但大陆竞争对手展讯由28奈米直攻16奈米，造成联发科进度约落后一季，在落后的情况下，联发科直接全速冲10奈米，临阵喊卡不算坏事。

就全球三大手机晶片厂进度来看，高通首款10奈米晶片传出采用三星制程，明年初生产，联发科直攻10奈米后，预计最快今年底送样，企图超车高通；展讯目前则较不明朗。

联发科这两年努力将产品高阶化，去年推出名为曦力的“Helio”系列产品，希望能打进一线手机品牌厂的旗舰机种和拉高产品均价（ASP），去年起陆续推出“X10”、“P10”和今年第1季量产的“X20”晶片。

其中，内部专案代号为“Everest”的“X20”，采用台积电20奈米制程生产，被联发科视为推出智慧手机晶片以来最高阶的产品，晶片订价可望在25美元以上。据该公司去年底对外释出的资讯，“X20”开案客户超过十家。

据联发科原产品蓝图，在“X20”之后，今年将再推出内部代号为“Elbrus”的“X30 ”，制程升级至台积电的16奈米FinFET，后年再由下一代10奈米的“Whitney”接手。

市场传出，联发科近日重调产品蓝图，决定将正进入tape out（设计定案）阶段的“X30”喊停，改为全力冲刺10奈米的“Whitney”晶片，代表旗下最高阶晶片要直攻最高阶的10奈米。