基于Logical Effort理论的全新IC设计方法

本文分析了传统IC设计流程存在的一些缺陷，并且提出了一种基于Logical Effort理论的全新IC设计方法。

电路设计完成之后，开始版图的实现。版图通常可以定制也可以用自动布局布线工具产生。接下来，DRC、ERC、LVS等被用来验证版图，后版图时序验证工具用从版图提取出来的电阻、电容数据来验证设计是否满足时序目标。如果电路设计阶段的时序评估不精确，版图后的时序肯定不能满足，电路必须被修改，再执行综合到版图的过程。

在电路设计过程中，最大的挑战是满足时序说明，即时序收敛。如果时序没有问题，电路设计将变得更加容易。目前的EDA界都意识到这一点：要想在版图阶段达到时序收敛，通常应该在综合阶段就考虑更多的物理设计信息。因此，现在很多工具在综合阶段进行预布局布线，以便在综合阶段尽可能多地了解后端信息。

其实这样做并不是从本质上解决问题，因为在综合阶段的时序评估还是基于负载模型的理论，只是现在的模型比以前的要精确一些，但是与实际的版图提取的负载还是有误差，因此得到的时序收敛并不一定可信。不过这些方法可以减少迭代次数，但不能真正消除迭代。

为了预知时序，其实应该建立一个非常可信的延迟预算模型，也就是这个模型的延迟预算应该非常可信。可信是指如果它预知电路1比电路2要快，那么实际中确实是这样。但是基于负载模型的方法不是非常可信，它需要精确的寄生参数信息，但在版图没有得到的情况下，你是不可能有精确的寄生参数信息的。因此需要建立另外一个延迟模型，使得它不需要寄生参数信息也能得到可信的延迟估算。

Logical Effort方法采用的延迟预算模型就是这样的一个模型，Logical Effort方法是评估CMOS电路延迟的一个简单方法。该方法通过比较不同逻辑结构的延迟来选择最快的候选者，该方法也能指定一条路径上适当的逻辑状态数和逻辑门的最好晶体管大小。它是设计早期评估可选方案的理想方法，并且为更加复杂的优化提供了一个好的开始。

Logical Effort延迟模型

建模延迟的第一步是隔离特定的集成电路加工工艺对延迟的影响。通常，把绝对延迟表示为两项之积：一项是无单位的延迟d，另一项是特征化给定工艺的延迟单位τ。即dabs=dτ。τ可以计算出来，例如在0.6μm工艺下τ大约为50ps。

延迟d通常由两部分组成，一部分叫本征延迟或寄生延迟，表示为p，另一部分正比于门输出端负载的延迟，叫做effort延迟，表示为。即：d=f+p。

effort延迟依赖负载和逻辑门驱动负载的特性。我们引入两个相关的项：Logical Effort(LE)捕捉逻辑门的特性，electrical effort(g)特征化负载的影响。即f=LE*g，所以d=LE*g+p。

Logical Effort捕捉逻辑门的拓扑结构对它产生输出电流的影响，它独立于晶体管的大小。electrical effort即门的增益，描述门的电子环境(即与门连接的东西)怎样影响它的性能，也可以说门中晶体管的大小怎样决定门的负载驱动能力。增益的简单定义是：g=Cout/Cin。其中Cout为逻辑门输出端负载的电容，Cin为逻辑门输入端的电容。

至此，我们可以如图1所示那样来计算延迟d。

从这里我们看到，延迟依赖门的增益，而不是它的精确寄生参数。同时，Logical Effort理论中还有两个非常完美的结论。

少的逻辑状态不一定能产生最快的电路延迟。那么多少个逻辑状态将产生最快的电路延迟呢？对于反向器组成的电路，Sutherland指出：最快的反向器结构发生在Cout=3.6Cin。当Cout=3.6Cin时，我们称反向器的负载为完美负载。我们可以定义门的增益为Gain=Cout/(3.6*Cin)，并把它作为电路单元(cell)的延迟预算。

最快的电路拓扑结构有一致可变的Gain，因此在物理综合阶段，可以通过仔细调整Gain的值，保持时序不变。