高通射频器件转换制程:CMOS转向砷化镓

高通2014年推出自家的射频元件方案“RF360”，是采用半导体CMOS制程的PA，具低成本优点，且由台积电以八寸厂制造，再搭配自家手机晶片出货，与其他PA制造商Skyworks、Avago、RFMD等PA供应商采用砷化镓（GaAs）制程不同。

不过，高通日前甫宣布与日系零组件大厂TDK合资，拟在新加坡设立新公司“RF360 Holdings Singapore”，其中TDK旗下从事射频模组业务的子公司EPCOS，会将部分业务分拆出来成立“RF360”，代表高通对RF元件布局将有改变，成为日前法说会焦点之一。

高通执行长莫伦科夫（Steve Mollenkopf）回应时表示，与TDK合作推出的“gallium arsenide PAs”（即砷化镓PA）将于2017年生产，这是一个比较合适的时间点，届时会再寻找合适的应用市场。

法人认为，以莫伦科夫说法来看，代表高通旗下RF元件采用的PA制程，将由现行CMOS转向砷化镓，在这个架构下，未来势必还要调整代工厂，由目前的台积电转至稳懋、宏捷科这类的砷化镓代工厂。

由于高通计划在2017年推出新的砷化镓PA，市场预期，今年会开始寻找合适代工厂，最快年底就会有样品，明年就能上市。

在智慧型手机转进第四代行动通讯（4G）时代，使用PA颗数至少七至八颗，比3G手机多出一到两颗，加上这两年4G手机数量呈跳跃式成长，带动一波RF元件动能。