祝宁华：我国高端芯片研制已具备基础

十三五国家重点研发计划“光电子与微电子器件及集成”重点专项专家组组长、中科院半导体所副所长祝宁华表示，我国近年来不间断地支持光电子领域的科技创新，从“863”计划、“973”计划到国家自然科学基金等各类项目，都投入大量资金引导高校、科研院所和企业对光电子芯片和模块的关键技术进行了广泛而深入的研究，取得了丰硕的创新性成果。

“当前我国已掌握中低端光电子器件关键技术，具备生产能力，但产能不足。在高端光电子器件研发方面，一些关键技术取得突破性进展，研制成功的原型器件通过系统功能验证，某些关键技术达到国际先进水平。”祝宁华介绍，仅从“863”计划的十二五规划来看，国家针对宽带通信、高性能计算机、骨干网络、光交换、接入网、无线通信和微波光波融合等领域方向中的光电子器件进行了重点部署。

“这些研发项目有很多都是前瞻布局的，中兴通讯此次受到限制的所有芯片，在十二五和十三五国家研究计划中，都有相应的部署。”祝宁华说，半导体激光器被称为信息网络的心脏，可以看出以激光器为代表的光电子器件在通信系统设备中的重要作用。在光传输和交换设备中，光器件要占百分之六七十的成本比重，因此，我国近年来一直非常重视光电子器件的研究开发。

祝宁华分析，当前我国在光电子高端芯片研制上已具备基本条件，无论技术积累还是资金投入，以及高端核心人才的培养和储备，都具备了一定基础条件。“只要国家选定面向未来信息网络急需的1—2类核心关键光电子芯片，集中资源，从设计、研发、器件制备到封装测试进行综合布局，同时通过国家引导、地方和企业的参与，构建完善的光电子芯片加工工艺平台，相信高端芯片研发的短板能够在5年内得到缓解。”

据了解，为实现自主创新发展，我国于2008年实施了国家科技重大专项“极大规模集成电路制造装备及成套工艺”，经过9年攻关，成功打造了我国集成电路制造业创新体系。专项实施前，国内集成电路制造最先进的量产工艺为130纳米，研发工艺为90纳米。9年来，我国主流工艺水平提升了5代，55、40、28纳米三代成套工艺研发成功并实现量产，22、14纳米先导技术研发取得突破，已研制成功14纳米刻蚀机、薄膜沉积等30多种高端装备和靶材、抛光液等上百种材料产品，性能达到国际先进水平。封装企业也从低端进入高端，三维高密度集成技术达到了国际先进水平。这一系列从无到有的突破，填补了产业链空白，使我国集成电路制造技术体系和产业生态得以建立和完善。

十三五国家重点研发计划宽带通信和新型网络重点专项专家组成员、北京大学教授李红滨表示，近年来我国通信产业取得的成绩有目共睹。“从农用交换机和边沿设备起步，到现在通信设备产品全覆盖，从2G、3G再到4G、５G，我国的通信产业发展迅速，在通信系统技术方面已经位居世界前列。”

李红滨表示，任何事物的发展都需要一个过程，我国通信行业也在经历一个从低端到高端的发展过程。“事实上，这些年已经有不少企业投入大量研发力量去做高端研发，有的企业在关键芯片上已持续不断地做了一二十年，也取得了创新性的成果。这是市场驱动的结果，也成为很多企业家的共识，企业要实现高质量发展、获取更多利润，必须在高端研发上投入更多精力。企业在投资研发高端芯片上的热情，可以用跃跃欲试和大势所趋来形容。”

李红滨介绍，我国近年来在信息通讯领域加紧布局，组织实施了重大专项等多种项目，一些单凭企业自身无法实现的平台、装备等依靠国家投入已初见成效，今后将发挥更大作用。“只要我们坚持已有的开放、竞争合作、共同发展道路不动摇，集中政府、研发机构、企业的优势力量，相信用不了太久，在产业链高端——核心芯片上也必然会取得同样令世人瞩目的成就。”