Intel撑腰、展讯芯片将采14纳米FinFET

EETimes 27日报导，展讯执行长李力游(Leo Li)接受EETimes专访透露，展讯2016年推出的高低阶行动晶片都计画采用英特尔的14奈米FinFET制程。展讯的行动晶片原本由台积电代工。

不仅如此，原本外界猜测，展讯可能会因英特尔入股，放弃ARM架构，投向英特尔怀抱。然而李力游坚称，除非英特尔技术具有竞争力，不然展讯没有义务改用英特尔架构晶片，英特尔不能强迫他们。双方协议没有载明，展讯未来的行动晶片须放弃ARM架构，改采英特尔技术，暗示展讯仍会使用ARM架构晶片，与联发科竞争。

李力游强调，展讯对英特尔技术仍有兴趣，将使用英特尔行动晶片SoPHIA测试客户反应，要是SoPHIA评价不错，他们会考虑使用。EETimes指出，展讯推说需测试客户反应，感觉似乎无意替英特尔晶片大力背书。今年底展讯将发布8核心的系统单晶片(SoC)，会继续采用ARM架构，并采用台积电的16奈米制程。

去年秋天英特尔砸下15亿美元入股清华紫光集团(Tsinghua Unigroup)，取得旗下展讯和锐迪科(RDA Microelectronics)的20%股权。

若展讯真的找英特尔代工生产，未来还可能会采10奈米制程。俄罗斯科技网站Mustapekka.fi独家拿到的英特尔(Intel)2013年-2016年计画时程，英特尔打算在明年第3季发表采用10奈米制程技术的“Cannonlake”处理器，而14奈米的Skylake架构系列处理器则会如期在今年第4季问世。

韩联社2月中报导，三星表示自家的Exynos 7处理器将率先采用14奈米FinFET制程。三星新机皇Galaxy S6采用Exynos 7八核心处理器。与目前市场主流的20奈米相比，三星14奈米的三维设计能耗减少35%，但效能却加快20%。