台积电承接苹果处理器订单机会愈来愈高。
有别于三星目前使用的前闸极(Gate-First)技术，台积电在28奈米及以下制程所采用的后闸极设计，由于可提升电晶体稳定性与量产效益，且功耗与效能表现均更胜一筹，能符合行动装置日益严苛的应用要求，可望成为台积电赢得苹果下一代处理器制造订单的最佳利器。
Gartner科技与服务供应商研究总监王端认为，苹果新一代处理器代工订单花落谁家，一直是产业关注焦点；但目前三星仍以完整的制造、封测服务赢得苹果青睐。
Gartner科技与服务供应商研究总监王端表示，后闸极已成为28、20奈米以下先进制程主流，惟三星现有与28奈米同级的32奈米制程仍沿用前闸极技术，后续该公司发展20奈米以下制程，势将面临技术转换与否的重大抉择。
王端强调，一旦三星因应市场潮流转攻后闸极，不免要投入大量资金与人力改造厂房与晶圆布局，在晶片量产成本与时程方面将落后台积电等主要竞争对手，促使既有的大客户苹果琵琶别抱。
事实上，除英特尔(Intel)自45奈米制程以后即力挺后闸极技术外，包括台积电、联电等一线晶圆代工大厂，均已表态在28、20奈米制程世代加入该技术推广行列。
至于格罗方德(GLOBALFOUNDRIES)原本在28奈米制程强打前闸极，并宣称可提供更出色的功耗表现，但后来也转而跟进，并将于20奈米世代转用后闸极。
现阶段，仅剩三星尚未传出转换消息，仍维持前闸极制造方案。
目前，台积电的后闸极28奈米高介电常数金属闸极(HKMG)制程，已成功进入大量生产阶段，技术居于领先地位；同时，该公司今年也一再调高资本支出，大手笔扩充28、 20奈米产能，大幅增强接单能力。
据了解，后闸极与前闸极系实现HKMG结构电晶体的两大技术流派，差别在于安排矽晶片漏/源区离子注入、高温退火和金属闸极形成等步骤的先后顺序。
其中，后闸极先完成前两项步骤后，再进行金属闸极形成；虽制程设备与技术要求较复杂，但可使闸极不易受到热的影响，且能有效控制电晶体的临界电压，从而因应低功耗到高效能应用的全方位晶片开发计划。
除后闸极制程带来的各种优点，可望促使苹果转单外，王端也强调，苹果与三星之间的专利战火持续延烧，且三星在高阶智慧型手机市场的占有率迅速爬升，亦为苹果带来更大威胁，预估两家公司未来的合作关系将逐渐淡化。
王端认为，苹果每年重砸20几亿美元，委由三星操刀的处理器制造业务，势将积极寻求其他晶圆代工合作对象，避免承担过高的投资风险。
届时，技术、产能双双居于市场领先地位的台积电，将更有胜出机会。
