TD-LTE多模芯片样机进入外场测试

近日有知情人士透露，刚刚启动的TD-LTE规模试验第二阶段测试，测试城市有望扩充到10个，并将新建2万多个基站，部分城市的TD-LTE网络有望形成全城全方位覆盖。

    第二阶段强化多模芯片终端测试

    据了解，在第二阶段TD-LTE测试中，终端方面将积极进行双模、多模终端的测试。此前完成的第一阶段测试主要针对基于

3G

PP R8标准的系统设备和TD-LTE单模终端开展测试；第二阶段则主要针对基于3GPP R9标准的系统设备和包含TD-SCDMA在内的多模终端开展测试。

    对此，TD产业联盟秘书长杨骅近期也表示，TD-LTE虽然取得了很大成绩，但与FDD LTE相比，产业链整体实力较弱，需要通过进一步引导，促进厂商加大投入力度，加速产业成熟，其中重点是加强多模芯片的发展。

    目前投入TD-LTE研发的国内外芯片企业不少于20家，部分国产芯片企业在TD-LTE单模领域也有较快的发展，但从总体实力上看，仍与国际芯片厂家有一定的距离。

    杨骅坦言，TD-LTE在芯片、仪表、终端这些环节上与FDD相比都处于弱势，若后续发展不能够很好把握，就会出现两种情况，一种是TD-LTE的发展滞后于FDD LTE，另一种是TD-LTE发展了，但国内薄弱环节的厂家并没有跟上。

    多模芯片样机已进入外场测试

    昨日中国移动在微博上透露，规模试验第二阶段是多模测试阶段，重点验证多模终端、多网络协同工作的效果，这也是TD-LTE未来试商用、商用的基础，预计第二阶段测试将于2012年6月完成。

    据悉，目前多模芯片的样机已经进入北京怀柔和顺义的外场进行测试，通过两家终端芯片与两家系统厂商设备互通测试的终端样机，才可以进入规模网络试验。

    知情人士表示，今年第二季度会有较多的多模终端会进入规模网络测试中，TD-LTE/TD-SCDMA/GSM三模终端会是主流，而FDD模式的加入将会分步实现。