科锐推出新款650V MOSFET 可让电动汽车车载充电的功率增加三倍

据外媒报道，当地时间3月30日，碳化硅技术全球领导者科锐（Cree）宣布扩大其产品组合，推出新款Wolfspeed 650V碳化硅MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），可实现更广泛的工业应用，让下一代电动汽车（EV）车载充电、数据中心以及其他可再生能源系统具备行业领先的功率效率。

（图片来源：科锐）

新款650V设备分为15 mΩ和60 mΩ两个版本，采用行业领先的科锐第三代C3M™ MOSFET技术，与其他碳化硅MOSFET竞品相比，可将转化损失降低20%，而且可提供最低通路电阻，以实现更高效、功率密度更高的解决方案。新款MOSFET通过更高效地使用电力、降低冷却要求、具备行业领先的可靠性，可在各种应用程序中实现更低的保有成本。

与硅相比，Wolfspeed新款650V碳化硅MOSFET可降低75%的开关损耗和50%的传导损耗，从而使功率密度增加三倍。现在，设计工程师能够达到，甚至超过行业内的最高效率标准，包括符合服务器电源80 Plus® Titanium标准的要求。

新650V MOSFET系列也是电动汽车市场车载充电器（OBC）产品的理想选择。功率得到提升、开关更快可让客户设计尺寸更小，但是性能更高的解决方案。Wolfspeed 650V碳化硅MOSFET还可以在不影响解决方案的尺寸、重量和复杂性的情况下，实现车载充电器的双向充电功能。此外，Wolfspeed产品通过了汽车AEC-Q101认证，得到了E系列MOSFET系列的验证，为未来符合汽车要求的650V MOSFET产品铺平了道路。

通用开关电源（SMPS）等其他工业应用也可从全球最大的碳化硅技术垂直整合供应商科锐处，享受到新款650V碳化硅MOSFET的好处。