三星西安半导体工厂高端闪存芯片正式量产

5月9日，韩国三星电子在西安高新区一期投资70亿美元的三星（中国）半导体有限公司举行竣工投产仪式，三星高端闪存芯片由此正式开始量产。

据了解，此次竣工的三星（中国）半导体有限公司西安项目园区占地约114万平方米，总建筑面积约23万平方米，将生产10纳米级NAND闪存芯片（V—NAND）。

三星电子表示，西安半导体工厂的正式生产，标志着其成功构建了由韩国（系统和闪存半导体），中国（存储半导体）以及美国（系统半导体）共同构成的“全球半导体三大生产基地体系”。通过对半导体生产资源在全球范围内的均衡分配，实现其国际资产的战略配置。同时，西安半导体工厂竣工后，三星电子将通过中韩两国NAND闪存的双重生产体系，更加稳定地为客户供给产品。特别值得一提的是，中国不仅是全球IT企业的生产基地，而且更占世界NAND闪存销量近半。能够直接在中国生产NAND闪存芯片，将使三星更有效率地应对市场变化和客户的需求。

三星西安半导体工厂的正式投产，对提高西安高新区的国际影响力，加快西安国际化大都市建设进度，加快陕西对外开放和国际合作步伐，都有着积极、重要、深远的影响；从产业发展方面的深远影响来看，将引领西安高新区电子信息产业集群化发展，使西安成为具有较强竞争力的电子信息产业基地，进一步完善西安半导体产业链，有利于陕西电子信息产业做大做强，推动陕西战略性新兴产业发展壮大，形成区域性电子信息产业集群，对整个关天经济区产业结构调整、升级转型，以及丝绸之路经济带建设意义重大。