IC产业实现跨越发展的三大对策

要实现我国IC产业跨越式发展，必须抓好三方面的工作。

一是顶层设计，前瞻性合理布局产业链。

应结合国家安全和国民经济发展的支柱产业配套需要以及IC应用，前瞻性合理布局产业链。采用计划与市场双管齐下措施，通过整合境内外产业链环节的资源，形成优势互补，创新集成构建广义IDM产业联盟，实现自主可控的合理IC产业链布局，实现跨越发展。国家产业政策应具有前瞻性、科学性和全局性。出台鼓励战略性新兴产业发展的金融、财税等优惠政策，研究和探索促进实现广义IDM产业联盟共同利益的外贸政策。

二是引进消化吸收再创新，实现专利升级并有偿共享，加速突破技术障碍。

后发国家和地区要实现追赶和超越，学习和模仿是一种最好途径。日本、韩国和我国台湾地区的成功模式值得我们借鉴，通过引进消化吸收再创新，实现为我所用并升级。通过鼓励有偿使用境内外专利，合理限制境内专利外流，逐渐形成促进有偿共享知识产权专利的机制，促进企业对知识产权专利的应用或者企业联合攻关，形成紧密联盟，汇聚创新合力，加速突破技术障碍，不断推陈出新。相关配套政策和措施有：鼓励和发展中介机构的政策体系，专利有偿共享的法律保障体系，激励科技成果转化或者知识产权专利转让的科技政策;政府或者中介机构搭建成果交易平台，促进科技成果转化，科技转化为经济，形成新的生产力。

三是完善官学研产体制，搭建高效的运行机制和制度保障平台，推动我国集成电路产业跨越发展。

完善官学研产体制，学习借鉴台湾“工研院”电子所模式。根据经济学比较优势理论，后发国家和地区要顺利成长，首先应实现高质量的学习过程和重构创新体制以及运行机制。学习借鉴台湾“工研院”电子所模式，是实现IC产业升级并促进电子信息产业快速发展的有效途径。以中国大型电子科技企业为核心组织成立具有“工研院”电子所功能的机构，作为探索技术政策和支持开发高新技术的基础，作为技术转化为生产能力的孵化器，作为新的生产能力投资的引导和组织者，帮助中小企业克服进入新的产业、建立新的技术研发和生产能力所面临的技术障碍。借鉴“工研院模式”还能够以重要军工微电子研究所为核心(具有政府属性、较强研发能力)，选择有发展前景的共性技术攻关，将攻关技术成果由军工领域向民用领域辐射。组织开展微电子器件新技术、新产品和新工艺的研究与开发，新技术成果转让、移植和成立衍生微电子器件制造公司等工作。充分地担当产业界技术路线图引导者和组织者的角色，通过组织开发、技术扩散，为产业界获得建立新产业所必需的技术，降低投资的不确定性，有效地控制风险，助推中小企业成长，为实现涉及国家安全的战略性产业的自主可控留出一定的空间。

搭建高效的运行机制和制度保障平台。IC产业的发展进步不仅仅只与技术相关，还涉及市场环境、国家政策环境、企业的经营理念和发展模式的转型以及发展路径的创新，是一项系统工程。只有对产业发展规律充分认识，建立完善、有效的产业发展政策支撑体系和具有远见卓识的产业发展规划，为企业发展、技术和资金引进提供良好的政策软环境和基础设施以及配套产业链等硬环境，才能对中国IC产业的健康发展起到推动作用。

提高政府、高校、研究机构、企业间的互动效率，是搭建高效运行机制保障平台的基础。充分发挥政府的宏观引导和法律制度保障、高校和研究机构共同合作协作、企业自主和联盟发展、中介机构积极促进的作用，才能搭建起高效的运行机制和制度保障平台。

通过合理布局产业链，构建广义IDM产业联盟，实现自主可控的合理IC产业链;有效组织突破技术障碍;完善官学研产一体的体制和高效的运行机制及制度保障;引导并推动集成电路产业的设计、制造和封装各业务环节发展，带动关键CAD软件、半导体设备、半导体材料等配套工业发展，有力地推动集成电路产业跨越式发展。