Intel高级院士曝光自家10nm工艺：集成度比优于对手

那么，真的是Intel在技术上黔驴技穷了?

显然不是。Intel在最新一期的半导体行业权威刊物《IEEE Spectrum》上撰文，畅谈了自己的10nm工艺，尤其是在技术、成本方面的巨大优势。

Intel高级院士Mark Bohr表示，Intel 10nm工艺的晶体管密度不但会超过现在的Intel 14nm，还会优于其他公司的10nm，也就是集成度比他们更高，栅极间距将从14nm工艺的70nm缩小到54nm，逻辑单元则缩小46%%，这比以往任何一代工艺进化都更激进。

他说：“本代工艺和相关产品要传达的一个重要信息，就是希望能够打消行业对于摩尔定律将死的忧虑。”

Intel在技术上的实力其实根本不用怀疑，那么是不是成本限制了10nm?Mark Bohr也谈到了这一点，明确表示Intel 10nm晶圆的整体成本确实会高于14nm，但是平均到每个晶体管上会更低。

和每一代新工艺一样，10nm也能提高晶体管的运行速度，或者降低能耗，但更重要的显然是后者。

Mark Bohr表示：“这些新工艺的首要目标确实是降低能耗，或者说提高能效，只有这样才能在服务器芯片内加入更多核心，或者在GPU内加入更多执行单元，然后才是降低晶体管成本。”

目前，台积电、GlobalFoundries(AMD)、三星等都在积极筹划7nm，Intel的似乎还很遥远。

Mark Bohr对此表示，如果从10nm过渡到7nm会花更长时间，那么最重要的就是想方设法增强已有技术，每年带来新产品。

这似乎意味着，在未来至少五年左右的时间里，Intel仍会坚持当前的产品研发和发布策略，不会变的太激进。