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来源:电子信息产业网发布时间:2018-12-15234浏览
询问 AI
在数据爆炸的时代,存储将是一个一直持续爆炸增长的市场,在更大容量、更高速度、更低功耗、更小面积的技术变革追逐中,永远需要创新。12月12日,在“首届全球IC企业家大会暨第十六届中国国际半导体博览会(IC China2018)”上,中天弘宇集成电路有限责任公司宣布推出新一代NOR闪存技术,引发业界广泛关注。“今年是集成电路发明60周年,台积电董事长曾说,芯片领域在上世纪80年代后就没有发明了,但是中天弘宇公司的新一代NOR闪存技术出来改变了这句话,因为中天弘宇的发明是颠覆性的,将会给存储市场带来新的变革。”中天弘宇公司执行董事长赵泾生先生在接受《中国电子报》记者采访时表示。
半导体存储器是一个超过千亿美元的市场,作为全球闪存芯片消耗量大国,我国因没有掌握闪存芯片的核心技术,目前中国的闪存芯片大量依靠进口。闪存核心技术的突破一直是中国半导体领域的重要课题。
目前,在半导体存储器核心技术领域,NOR闪存技术及NAND闪存技术是最为主流的两项技术。上世纪八十年代,英特尔前副总裁Stefan Lai发明了NOR,随后被产业化,但由于当时NOR单元面积无法继续缩小,成本高、存储密度低等原因使得其在市场上的表现与NAND闪存存在较大差距。
而中天弘宇打开了NOR闪存的“黑匣子”,找到了其中的技术缺陷,使得已经陷入停滞的NOR闪存,焕发了新的生机。就连NOR的发明人Stefan Lai都表示,中天弘宇对NOR Flash的颠覆性发现,解决了NOR的很多问题。
赵泾生先生表示,人类在硅晶元芯片领域进行的一项又一项发明创造,其实是打开了一个个的“黑匣子”,除了NOR这个“黑匣子”之外几乎全被打开了,中天宏宇打开了NOR的黑匣子,给存储产业带来了新的发展机遇。因为中天宏宇的新一代NOR Flash读取速度更快,稳定性更好,可直接运行程序,且成本更低。并且能够续写摩尔定律,使芯片体积越来越小,功能越来越多,价格越来越低。目前在手机中,因NAND闪存读取速度有限,芯片一般采用NAND闪存加DRAM,若采用新一代NOR闪存替代,手机的开机速度就会更快,且成本会更低。同样在自动驾驶领域,运用新一代NOR闪存,就能更快地识别路况、障碍物等,更好保障行车安全。
“中天弘宇的新一代NOR闪存出来,将使得中国存储产业实现从‘0到1’的核心突破。目前整个存储芯片市场规模是1600多亿美金,而NOR市场将会从现在的20多亿美元起步达到百亿美元,未来有可能变成几百亿甚至更大的市场。”赵泾生先生说。
目前中天弘宇已经完成IMB NOR的硅验证,并成功流片,从预计来看,中天弘宇的产品将在明年三月正式量产面市。而据赵泾生先生介绍,中天弘宇没有选择国际厂商做代工,而是选择国内厂商做代工,是因为由于新一代NOR不断往前推进,一定会带来工艺的变化、带动工艺的创新。中天弘宇希望将这样的机会留给国内企业,一起将新一代NOR的生态链做大,在物联网时代开启更大的市场。
就像赵泾生先生12月12日在RISC-V创新应用暨开发者论坛演讲时说到:中天弘宇有三大目标,第一是让中国自主研制的存储芯片从无到有,第二是让存储芯片拥有完整的知识产权,第三是进一步完成NOR闪存向1X进军,向3D NOR发展,与产业链上下游厂商实现合作共赢。
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