芯动态|高通推出首个5纳米5G基带芯片 终端产品估2021年上市

半导体联盟消息，面对未来5G时代终端产品对于多样化的联网需求，移动处理器龙头高通（Qualcomm）宣布，继骁龙（Snapdragon）X50及X55之后，再推出第3代5G基带芯片骁龙X60，这也是全球首个5纳米制程的5G基带芯片。

该芯片可涵盖所有主要5G频段与组合，包括使用分频双工（FDD）与分时多工（TDD）毫米波与sub-6频段，能够运用片段频谱资产提升5G效能。

高通表示，骁龙X60是全球第一个支援毫米波与sub-6聚合的基带芯片，内建全球第一个5G FDD-TDD sub-6载波聚合解决方案。除了支援5G FDD-FDD和TDD-TDD载波聚合解决方案，同时搭配动态频谱分享（DSS），可以让电信商拥有多种部署选择，包括将LTE频谱重新规划供5G使用，有效提升平均网络速度与加速5G扩展。

另外，这种5G基带芯片与天线解决方案提供高达7.5Gbps下载速度以及3Gbps上传速度。

与没有支持载波聚合的解决方案相比，其sub-6 GHz频谱聚合能够运用独立模式，让5G独立组网模式的尖峰资料传输速率提升一倍。

骁龙X60还支援的VoNR能力，可以让全球移动电信商使用5G NR提供高品质语音服务，为全球移动产业从非独立组网转移至独立组网模式迈出重要一步。

高通进一步指出，骁龙X60也透过搭载全新的高通QTM535毫米波天线模组，提供卓越的毫米波效能。QTM535是该公司的第3代移动5G毫米波模组，拥有比之前一代产品更精巧的设计，从而实现更轻薄与流线型设计的智能手机。

高通预计将于2020年第1季为骁龙X60与QTM535送样，而搭载此款全新数据机射频系统的商用高端智能手机将于2021年初问世。