华邦曝光两年内存储产品路线图和发展规划

华邦和恩智浦成功达成合作，在3月11日和14日分别于深圳和上海举办的2019华邦-恩智浦Workshop上，恩智浦展示了一款集成了华邦2MB/4MB Flash的LPC54S018JxM系列MCU产品，该系列是LPC540xx系列MCU的扩展，主要针对物联网终端市场，便于用户快速将产品推向市场。该产品不仅提供片上SPI NOR Flash，而且其独特OTP功能可以灵活定制保护区块，其他闪存空间仍能保持正常擦写功能。

恩智浦MCU产品营销经理Elizabeth黄说：“2019-2020年，中国嵌入式MCU市场仍将以高于全球1.5-2倍的速度增长，面对如此机遇与挑战，我们需要快速应对市场变化，这也是我们推出这一系列的原因。我们非常高兴和华邦的合作可以深入到产品级别，有利于双方产品拓展到更广泛的应用领域，未来我们将推出更多嵌入了华邦闪存的MCU产品。”

华邦电子长期专注于Flash和DRAM存储器产品领域的技术、设计、制造和服务，目标瞄准代码存储和缓冲应用市场。华邦现在拥有自己的12英寸晶圆厂，并生产全系列中小容量Flash和DRAM产品，所有Flash产品除了保证拥有10年以上生命周期和独特的安全加密性能以外，而且支持工业级和汽车级工作温度范围（分别是-40度到+85度、-45度到+125度），覆盖的目标应用市场非常广泛，从消费电子、计算机、通信设备、汽车到工业设备。

“华邦专注于SLC NAND Flash和串口NOR Flash代码存储产品，这些产品面向的市场占总体Flash市场的5-10%，而且应用客户群非常的广泛，所以国际内存大厂的产品的发展侧重于高容量数据储存内存NAND Flash转移，所以更凸显华邦在代码存储内存产品的深耕与价值，”华邦电子Flash市场行销处处长FJ黄说，“随着国内许多新的内存公司的加入，竞争主要集中在32Mb以下容量市场。我们最大的竞争优势是我们长期投资自己拥有的晶圆厂，提供技术产品开发蓝图及向客户长期保证供货与供应产能规划的承诺，这是国内竞争对手做不到的。我们相信产品的质量和性能进化，这需要时间积累和沉淀，也更凸显华邦在代码存储内存产品的深耕与价值。”

而且，如果MCU或SoC客户需要更大容量的NOR或NAND Flash，华邦还能提供KGD Flash给客户做SiP封装，以最低成本满足客户对高可靠性、更高容量内嵌Flash的要求。

华邦电子闪存产品市场总监Alex Wei说：“华邦Flash产品的3大主要卖点是：1，兼具高性能、小封装、高可靠性和独创安全特性；2，华邦12英寸晶圆厂出品，性价比高，高质量，供应稳定；3，目前主要工艺为46nm，今年会有部分产品转至3xnm。”

华邦目前可以向市场提供512Kb到512Mb容量的SPI NOR Flash，电压范围从1.2V、1.8V、2.5V到3V，SPI NAND Flash容量从512Mb到4Gb，电压范围从1.8V到3V，ONFI NAND Flash容量从1Gb到8Gb，电压范围从1.8V到3V。

华邦安全闪存产品线介绍了具有独特安全特性的闪存，透过一套加密解密机制，MCU与闪存透过密钥绑定后，所有闪存的读出和写入在总线上的数据都自动进行加密处理，如果非法用户试图监看总线，看到的都是密文，无法得知系统执行程序内容。一旦非法用户企图攻击篡改总线上的内容，该笔数据也会被侦测为无效而直接弃置，避免非法写入，该设计的闪存适合用来储存敏感性的数据，如平台设置、凭证、代码等等。

Alex Wei透露：“华邦2019年将推出宽电压范围Flash（1.8-3.3V 4Mb和1.14V-1.6V 64Mb）和2Mb-128Mb超低功耗Flash（1.2V），并在2020年推出专门针对高速计算所需的8通道输出SPI Flash。”

在DRAM领域，虽然华邦也能提供从SDR、DDR、DDR2、DDR3、DDR4、pSRAM、LP-SDR/DDR、LP-DDR2、LP DDR3和LP DDR4的全系列中小容量DRAM产品，但华邦基本不碰手机、PC和平板电脑里面的大容量存储卡业务，不与三星、Hynix和Micron这样的行业巨头正面相碰，而是将业务拓展重点放在应用领域分散的中小型客户身上。

华邦利基型DRAM产品营销经理Larry Yang说：“华邦拥有超过20年的为各种行业中小型客户服务的DRAM设计经验，是业内唯一一家專注於中低容量及利基型DRAM並拥有自己的12英寸晶圆厂及自己的工艺技术的供应商，三星、SK Hynix和美光較專注在手機及PC等大儲存容量記憶體，而南亚尚缺乏自己的DRAM工艺技术。业内只有我们能够为客户提供如此廣泛的記憶體產品與灵活的产品生命周期支持（10年以上供货支持）。”

Larry Yang表示：“华邦今年将重点拓展25nm中等容量DRAM产品的市场份额，主要产品是2-4Gb DDR3/L、4Gb DDR4、1Gb移动DDR2、1-4Gb移动DDR3和1-8Gb移动DDR4。原有的46nm DRAM还将继续生产，以为客户的高价值长线应用市场继续提供支持。”

为了满足智能驾驶汽车和人工智能边缘计算节点对快速响应周期的需要，Larry Yang透露：“今年Q3和Q4将分别推出38nm 64Mb和128Mb 8通道输出OctalDRAM，并计划在2020年Q2推出256Mb 25nm工艺OctalDRAM。”

为了满足未来15年市场对更高速、更低功耗和更高可靠性Flash及DRAM产品需要，华邦已经开工建设一座新的12英寸晶圆厂，工艺技术定位在2Xnm以下，不主要追求技术领先性，而是更注重性价比，目标是为下一个15年的客户提供更具性价比优势和可靠性的产品。

展望今年市场增长目标，黄处长表示了审慎乐观。他说：“虽然去年下半年以来市场出现了供过于求的状况，但市场需求还在增长，我估计市场增长速度仍会继续和前几年一样维持在7-8%左右，未来1-2年，主要的增长市场有：无线蓝牙耳机（预计出货量将与TV持平）、NB-IOT模块、POS机、卡车跟踪器、智能灯杆、5G应用、语音唤醒音箱、GPON光纤转换器。”