ASML光刻机交货了！看到具体型号，心里五味杂陈！

虽然光刻机这样的设备对于我们普通人来说距离比较遥远，但是随着大家对于芯片的认知度越来越高，也对芯片的影响力了解得越来越多，用于制造芯片的关键设备光刻机，也就逐渐的被大家所熟知。

众所周知，目前光刻机的发展已经进入到EUV时代，在此之前则是DUV时代，具体来说，EUV光刻机叫做极紫外光刻机，DUV则叫做深紫外，这个极紫外和深紫外指的则是用于光刻机“雕刻”芯片的光源类型。

这个设备之所以叫做光刻机，其实意义也就在于此。近日我国企业上海新阳表示，来自ASML的1400型号光刻机已经交货到位，但是这台光刻机却并非是用于生产芯片，用上海新阳的话说，是用于“193nmArF干法光刻胶产品开发”。

而正是由于这句解释，让很多网友产生了误解。193纳米？难道只能生产193纳米的芯片吗？

答案当然不是，这里的193纳米，指的就是光源的波长，属于深紫外光线的一种，除此之外还有另一种248纳米的光线。

而光刻胶就是在芯片被光刻的过程中一个关键半导体材料，所谓193纳米ArF干法光刻胶，就是可以用于制造14纳米到90纳米芯片之间的光刻胶。

既然如此，那么这台ASML-1400光刻机到底能制造什么工艺的芯片呢？经过查询ASML官方网站得知，这台光刻机如果用于生产芯片，那么适用于65纳米节点，如果用于测试和开发，则可以进一步适用到45纳米。

不过这已经不重要了，毕竟这台光刻机也并不是用于芯片生产，而是为了光刻胶的研发，事实上，随着芯片工艺越来越精细，对光刻胶的要求也越来越高，尤其到之后的EUV工艺上，光刻胶的重要性几乎媲美光源。

因此如今有了这台光刻机的到货，对我国在先进光刻胶的研发上算是一个喜事，不过我们也看到了另一面。

因为我们也注意到，该型号的光刻机，ASML早在2004年就已经发布，也就是说，ASML从提供65纳米工艺的1400走到提供7纳米工艺的EUV光刻机，差不多算是用了约14年的时间。

而根据中国制造2025的规划，我国计划在2030年实现EUV光刻机的国产化，目前我们国产的光刻机制造工艺还在90纳米水平，也就是说，我们要用比ASML更短的时间，实现更大的工艺技术跨度，其难度可想而知。

不过还是有好消息的，就在最近，清华大学官方发布，其研发的一种新型粒子加速器光源SMBB的论文被发表在自然杂志，并且受到了国际社会的高度关注，其中关键因素就在于，该光源可用于未来的EUV光刻机。

这里需要注意的，该技术可用于“未来的EUV光刻机”，因为当下的EUV光刻机，其光源功率只有250W，造成生产芯片的效率并不高，ASML也在为了提升光源功率而苦苦探索。

而清华大学的这项研究成果，就无疑为未来更先进的EUV光刻机做了技术准备，可以提供更高的光源功率，事实上，在EUV光刻机的研发中，光源问题几乎是最为困难的，在光源的供应上，其稀有度基本上就相当于ASML在EUV光刻机市场的情形。

因此我们也就可以理解了，为什么清华大学发布了该光源技术后，会得到全球社会的广泛关注，因为太重要而且技术太难了，要知道光刻机被誉为“合法的印钞机”，可见其价值所在。

或许正是有像清华大学等这样的越来越多的科研机构的科研成果，就可以保证我们实现用更短的时间取得更辉煌的成果，因此对于国产EUV光刻机的到来，我们现在也充满了信心和期待。