最新65V LDMOS加快设计并提高输出功率

贸泽电子开始供应NXP采用最新LDMOS技术的MRFX1K80H电晶体

贸泽电子(Mouser Electronics)即日起开始供应NXP Semiconductors的MRFX1K80H LDMOS电晶体。MRFX1K80H属MRFX系列的射频(RF) MOSFET电晶体产品之一，采用最新的横向扩散金属氧化物半导体(LDMOS)技术。MRFX1K80H采用的LDMOS技术有助于提高宽频应用的输出功率，同时维持适当的输出阻抗。

贸泽电子供应的NXP MRFX1K80H LDMOS电晶体能在65V下提供1800W连续波，适用于1.8至470MHz的射频应用，在所有相位角度下提供65:1的电压驻波比(VSWR)。此装置提供50欧姆的阻抗匹配，有助于缩短整体开发时间。

MRFX1K80H专为30V至65V的延伸功率范围所设计，具有高崩溃电压，可靠度更高，效率更为优异。系统电压提高，电流下降，可限制对DC电源供应器造成的应力，进而减少磁辐射。装置提高输出功率，亦有助于降低合并的电晶体数量，同时简化功率放大器的复杂度，并降低整体大小。

MRFX1K80H适用于具有适当偏差的线性应用，提供整合式静电放电(ESD)防护，改善C类放大器的运作。MRFX1K80H的目标应用包括工业、科学与医疗(ISM)应用，以及广播、航太与行动无线电设备。