南亚科：明年DRAM市场稳健，Q1供货仍吃紧

今年DRAM市场强劲成长，南亚科技(2408)预期2017年第四季及2018年第一季供货将持续吃紧，DRAM平均销售单价走势稳健；展望2018，预期明年整体DRAM市场供需均衡且健康，市场将持续维持稳健。

随着人工智能、物联网、智能汽车、高速运算等应用，促进半导体产业更多元发展，DRAM成为电子产品的关键组件，带动今年内存市场强劲成长逾50%。

展望2018年，南亚科预期DRAM资本支出主要用于先进制程转换及维持原有月产能，DRAM位年成长率在20%~25%，预估2018年需求将较2017年成长23%，预期2018年DRAM市场将持续维持稳健的态势。

2017年全球半导体市场预计大幅成长20%，规模达4,111亿美元，内存市场年成长更高达57%，规模达1,260亿美元，2017年内存市场营收占半导体市场31%。

内存市场于2017年突破1200亿美元规模，预估2017年DRAM市场成长率67%，产值685亿美元，预估2017年NAND Flash市场成长率51%，产值535亿美元，DRAM加NAND占内存市场总产值97%。

就内存产业资本支出来看，NAND资本支出持续大幅提升，以作为扩充3D NAND产能所需，相对而言，DRAM资本支出主要用于先进制程转换及维持原有月产能；南亚科预估，2018年DRAM位年成长率20%~25%， 2018年下半起将有新增DRAM产能投入量产，NAND位年成长率则达40%~45% ；预估2018年全球DRAM平均月产能将由2017年113.3万片微幅提升至2018年121万片，预期2018年DRAM市场供需均衡且健康。