联电推出40奈米SST嵌入式闪存制程 东芝的MCU将采用

联华电子今宣布，该公司推出40奈米结合Silicon Storage Technology（SST）嵌入式SuperFlash非挥发性内存的制程平台。 新推出的40nm奈米SST嵌入式快闪记忆，较量产的55奈米单元尺寸减少20％以上，并使整体内存面积缩小了20-30％。 东芝电子组件&存储产品公司已开始评估其微处理器（MCU）芯片于联电40奈米SST技术平台的适用性。

东芝电子组件&存储产品公司混合信号芯片部门副总松井俊也表示：「我们期待采用联电40奈米SST技术有助于提升我们MCU产品的性能。 与联电合作，透过稳定的制造供应及配合我们的生产需求提供灵活的产能，亦将使我们能够保持强劲的业务连续性计划 （BCP）。 」

已有超过20个客户和产品正以联电55奈米SST嵌入式闪存制程进行各阶段的生产，包含了SIM卡，金融交易，汽车，物联网，MCU及其他应用产品。

联华电子特殊技术组织协理丁文琪表示：「自2015年提供55奈米SST嵌入式闪存成为主流技术以来，我们一直受到客户的高度关注，藉此制程平台所具有的低功耗、高可靠度及卓越的数据保留和高耐久性的特性，可用于汽车、工业、 消费者和物联网的应用。 我们很高兴将这些产品进入大批量产，并正努力将这嵌入式闪存解决方案扩展到40奈米的技术平台，期待将SST的高速度和高可靠性优势带给东芝和其他晶圆专工客户。 」

联电的分离式闸极内存单元SST制程，依据JEDEC所制定的规范标准，具100K耐久性和在85℃及工作温度范围为-40℃至125℃温度下，数据可保存10 年以上。