7nm火力全开，台积电营收有望创新高

回顾去年台积电的股东会，创办人张忠谋以感性的口吻说出：「我爱台积、再创奇迹」，赢得在场股东们热烈掌声，同时也宣告后张忠谋时代的来临。如今一年多来，尽管面对美中贸易战争端，以及机台病毒、光阻液等事件，台积电在二位共同执行长刘德音与魏哲家领导之下，依然展现出强大的竞争实力，尤其，在7纳米等先进制程上逐步拉大与对手差距；且股价创下挂牌新高价281元，总市值也攻上7.28兆台币，写下台股市值的新页。而台积电现在更是火力全开。

这波台积电股价之所以能够如此强势，主要归因于多数外资法人看好台积电的7纳米制程将从下半年到明年跃升为主要营运与获利最大成长动力来源；再者，台积电从今年起实施季季配息的制度，明年起每股至少配发十元，现金股息平均殖利率达3％以上，吸引外资与长期资金(如主权基金、寿险、政府基金等)的青睐。因此，纷纷上修今、明年的获利预估值，并将目标价调升至300元以上(目前最高价上看至340元)。

台积电在7纳米制程上，除了行动处理器方面有苹果、华为、联发科等客户的大单加持之外，在个人电脑领域还有ＡＭＤ的处理器与绘图芯片的订单，使得7纳米产能满载，预计7纳米制程(7纳米、7纳米+、六纳米)到年底占整体营收比重将达到25％以上。台积电八月营收受惠于旺季效应，一举突破千亿元大关，创下单月历史新高，根据第二季法说会上，台积电对第三季的业绩展望，预估季营收91到92亿美元，较上季成长约18％。若以一美元兑换新台币31元的基础来计算，营收约在2821到2852亿元之间，可望改写历年同期新高。

综观各大外资对台积电的看法，普遍都认为7纳米制程为重要共通点。其中，摩根大通表示台积电7纳米制程明年营收年增高达36％，是最大成长动能来源，尤其占整体营收比重来到32％，研判台积电所有的7纳米产能，明年已经全数被客户包走。除了7纳米之外，在5纳米制程方面，进度也非常顺利，今年下半年来更连续上调产能规划，自约四．五万片到五万片月，再到7万片，而5纳米＋(plus)也预计在今年底前小量生产，全力朝明年第一季量产目标迈进。法人看好，台积电明年可望独拿苹果与海思五纳米订单。

尽管近来竞争对手格罗方德(GlobalFoundries)对台积电控告侵权，但台积电也展开反击，分别在美国、德国及新加坡三地控告格罗方德侵犯包括40纳米、28纳米、22纳米、14纳米及12纳米等制程的25项专利。事实上，外界普遍认为格罗方德与台积电二者的技术层次有相当大的落差，因此，此侵权案对台积电影响并不大。

对此，台积电也出面强调，有争议的专利仅占台积电广泛专利组合的一小部分，台积电目前全球拥有超过三万7千项专利，并在去年已连续三年成为全美前十大发明专利权人；且已准备好在法庭上迎战，也将成功捍卫公司的声誉、庞大的投资、技术的创新与领先地位、公司的客户及全世界的消费者。

过去只专注在晶圆代工业务的台积电，2009年跨入封装领域；结合先进制程的晶圆代工，提供客户从前段晶圆代工到后段封测的一站式服务。目前台积电二大量产的封装技术分别是InFO(整合扇出型封装)及CoWoS(基板上晶圆上芯片封装)。

InFO封装技术其实就是FOWLP(Fan-Out Wafer level Package)，该技术是2008年由德国英飞凌(Infineon)提出的扇出型晶圆级封装，特点是不需要ＩＣ基板，因此可以降低芯片的厚度，但因为良率无法完全克服等问题，当时的FOWLP技术被提出后，并没有立刻成为业界主流。直到台积电以FOWLP技术为基础加以改良后，在2015年提出整合扇出型封装(Integrated Fan-out, InFO)技术，将16纳米的逻辑SoC芯片和DRAM芯片做整合，特别适合低功耗、强调散热、体积小、高频宽的应用，像是智能手机、平板电脑和物联网芯片，并于2016年起做到量产，也成功独拿苹果大单。

为了满足５Ｇ行动通讯需求，台积电开发了先进的整合扇出型天线封装技术(InFO-AIP)，将射频芯片与毫米波天线整合于一个扇出封装。InFO-AIP技术提供高性能、低功耗、小尺寸、低成本的解决方案，支援毫米波系统应用，例如５Ｇ行动以及虚拟实境(ＶＲ)无线通讯；此项技术也可支援快速演进的汽车雷达、自动驾驶及行车安全的应用。

至于在CoWoS封装方面，是先进制程系统单芯片(SoC)与高频宽记忆体(High Bandwidth Memory；简称ＨＢＭ)异质整合的主要平台。藉由高制造良率、更大硅中介层与封装尺寸能力的增强、以及功能丰富的硅中介层，例如内含嵌入式电容器的硅中介层(Interposer)，使得台积电在CoWoS技术上的领先地位得以更加强化；目前华为海思、Nvidia、博通等都是台积电CoWoS客户，未来也将整合上述两个技术发展系统级整合芯片SoICs (System on Integrated Chips)。

随着制程的进步，晶圆内的电晶体逐渐缩小，渐渐接近物理极限；而３Ｄ先进封装被视为延伸摩尔定律的利器，透过芯片堆叠，提升芯片的功能。

3D IC封装主要是因应异质整合(Heterogeneous integration)时代的来临。所谓的异质整合，简单来说，就是将处理器、数据芯片、高频记忆体、CMOS影像感应器与微机电系统等能封装在一起。异质整合此一概念早从1970年代就已开始，当时称为ＭＣＭ(多重芯片模组)，主要是针对军事与航太应用，整合三五族元件。一直到2005年，随着智能手机的兴起，业界开始朝系统级封装(SiP)发展，特别是针对手机所需的蓝牙、WiFi以及多频蜂巢式通讯技术，带动了射频模组的广泛运用。

日前台积电已宣布完成全球首颗3D IC封装，预计在2021年量产，无非就是针对异质整合芯片趋势而来。随先进制程占比扩大，其先进制程封装占比也会大幅提升，相信未来台积电在先进封装制程能与专业封装大厂相抗衡。