英特尔高层:无晶圆厂经营模式快不行了

在英特尔(Intel)负责制程技术部门的高层Mark Bohr指出，无晶圆厂(fabless)半导体业经营模式已经快到穷途末路。他认为，台积电(TSMC)最近宣布只会提供一种20纳米制程，就是一种承认失败的表示；而且该晶圆代工大厂显然无法在下一个主流制程节点提供如 3D电晶体所需的减少泄漏电流技术。
“高通(Qualcomm)不能使用那种(22纳米)制程技术；”Bohr在日前于美国举行的 Ivy Bridge 处理器发表会上宣布，该新款处理器是采用英特尔三闸22纳米制程生产。他在会后即兴谈话中对笔者表示：”晶圆代工模式正在崩坏。”

当然，英特尔会想让这个世界相信，只有他们能创造世界所需的复杂半导体技术，而为其竞争对手高通、AMD代工的台积电与GlobalFoundries都不能。在Ivy Bridge处理器发表会上，英特尔所述说的公司成功故事，其秘诀之一就是来自于制程技术与晶片设计者之间的紧密关系。

英特尔客户端PC事业群新任总经理Kirk Skaugen在发表会上与Bohr、还有Ivy Bridge专案经理Brad Heaney一同主持问答时间；这款处理器除了首度采用3D电晶体架构，也是英特尔第一次以High-K金属闸极制程制造的产品。”做为一家整合元件制造厂(IDM)，确实有助于我们解决生产这样一款小尺寸、复杂元件时所遭遇的问题。”Bohr表示。

在当下我没有质疑他的说法。自从进入次微米制程时代，EETimes美国版就有不少文章谈到晶片设计业者与制程技术提供者之间，需要有更紧密的合作关系；一位来自Nvidia的实体设计部门高层也在最近Mentor Graphics的年度会议上，强调了相同的论点。

不过，Bohr在指称晶圆代工厂与无晶圆厂晶片设计业者无法追随英特尔的脚步时，似乎是过度延伸了该论点。笔者听过台积电与GlobalFoundries的研发主管提出很好的例子，证明3D电晶体架构在14纳米制程节点之前并非必要；台积电并曾表示，20纳米节点并没有足够的回旋空间可创造高性能制程其低耗电制程之间的明显变化。

我忘了问Bohr英特尔是否已在22纳米节点将高性能制程(high performance)与低耗电(low power)制程做分别，不过他在问答时间表示，英特尔已经完成了一个特别针对SoC元件生产的制程技术版本，该公司计划在每个主流制程技术完成后，进一步于一季或是两季之后推出该SoC版本的变形。

对于台积电的20纳米制程计划，高通不会发表评论；但高通确实在最近财务季报发表会上表示，该公司无法向台积电取得足够的28纳米制程产能以因应市场需求，因此正寻求多个新代工来源，并预期能在今年稍晚正式上线。

这对GlobalFoundries、联电(UMC)等其他代工厂来说是个好机会；不过Bohr认为，由于生产28纳米SoC需要在设计细节上有更紧密的交流，对高通来说，与同样有生产手机SoC (Exynos)的竞争对手三星(Samsung)的代工夥伴合作，其风险会大过于任何机会。

笔者询问Bohr，英特尔除了提供22纳米制程给两家已公开的夥伴Achronix 与 Netronome之外，是否还有其他的合作对象；但他只回答，英特尔并不想涉足晶圆代工业务，只是让少数几家策略夥伴取得其技术。

英特尔可能没办法独占聪明的制程工程师或设计工程师，但显然拥有一些杰出的员工，已学会如何巧妙地自我行销；Bohr与Heaney就现身于发表会上放映的搞笑视讯，影片中，他们两个被微缩，进入一颗Ivy Bridge晶片游历。

展望未来，Bohr表示英特尔已经使用浸润式微影技术，完成下一代14纳米节点制程的特性描述；其成果不只是”令人振奋”，也意味着该公司可望将浸润式微影技术运用到仍在初期计划阶段的10纳米节点：”我们认为已经找到在10纳米节点运用浸润式微影技术的解决方案──我们也很乐意使用超紫外光(EUV)微影技术，但不抱太大期望。”