德州仪器Broad Market Power副总裁暨总经理Hagop Kozanian表示，伺服器/通讯之交流-直流(AC-DC)供应及机架式直流电源分配(Racl-mount DC Power Distribution)两大应用市场，将是驱使GaN FET成长的关键因素。其原因在于，采用矽制造的金属氧化物半导体场效电晶体(MOSFET)，造成的切换损耗较高，因此无法负荷较高的切换频率；但若采用GaN，因其本身特性可大幅减少生热，所造成的切换损耗也会较小。因此，随着伺服器中心/通讯电源设备建置日增，为减少功率损耗，将会有越来越多客户采用GaN FET，进而带动GaN FET成长。
另一方面，为了能够让设计人员于电源设计中利用GaN技术所具有的优势，TI还推出另一款新产品-- LMG5200POLEVM-10，以扩展其GaN生态系统。LMG5200POLEVM-10为48V至1V负载点(POL)的评估模组，将包括与80V LMG5200 GaN FET功率级配对使用的全新TPS53632G GaN FET控制器。这个解决方案可以在工业、电信和资料通信应用中实现高达92%的效率。
