第三代半导体材料产业中国将走在世界前沿

　　日前，中欧第三代半导体高峰论坛在广东省深圳市举行，来自中国和欧洲从事碳化硅、氮化镓等第三代半导体技术研究的200多位知名专家学者和产业界人士汇聚一堂，探讨第三代半导体材料的前沿技术和发展趋势。下面就随半导体小编一起来了解一下相关内容吧。

　　国际权威信息技术研究与顾问咨询公司高德纳发布的最新预测报告显示，2017年全球半导体市场总营收将达到4111亿美元，较2016年增长19.7%。据统计，全球半导体市场总营收在2014年至2016年间，规模在3400亿美元左右。2017年因内存价格逐季大涨，带动半导体市场出现强劲增长。2018年半导体市场可望增长4%，达到4274亿美元规模，继续创新高。

　　记者从论坛上获悉，近年来，以碳化硅、氮化镓等宽禁带化合物为代表的第三代半导体材料引发全球瞩目。由于其具有禁带宽、击穿电场强度高、饱和电子迁移率高、热导率大、介电常数小、抗辐射能力强等优点，可广泛应用于新能源汽车、轨道交通、智能电网、新一代移动通信、消费类电子等领域，被视为支撑能源、交通、信息、国防等产业发展的核心技术，已成为美国、欧洲、日本半导体行业的重点研究方向。

　　多位出席论坛的专家表示，目前中国在第三代半导体材料研究上紧跟世界前沿，是为数不多的碳化硅材料衬底、材料外延产业化的国家。深圳青铜剑科技股份有限公司副总裁和巍巍表示，我国第三代半导体器件设计和制造工艺正向世界先进水平迈进，行业已迎来发展的春天。深圳市人大常委会副主任、深圳市科学技术协会主席蒋宇扬表示，广大科技企业与科技工作者要紧扣时代脉搏，进一步加大研发投入、加强国际合作，助力第三代半导体产业快速发展。

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