三星华城厂区跳电 影响DRAM、NAND Flash及LSI部分业务

根据外电的报导，韩国半导体厂商三星电子旗下位于华城的工厂发生了跳电事故，影响了DRAM、NAND Flash，以及采用EUV技术的系统半导体生产部分。

根据外电报导指出，三星电子位于韩国华城的工厂，在2019年12月31日发生了短暂的跳电情况，使得华城厂区内的部分工厂短暂停产。整个跳电的时间约1分钟，之后立即恢复了供电，目前三星正在积极的进行产线检查，在了解受损程度之后，以便在最短时间内恢复生产。

据了解，这次三星电子华城厂区的跳电事件，影响的是生产DRAM的Line 12产线，以及生产Nand Flash的Line 13产线，另外还有以EUV（extreme ultraviolet）技术进行生产的LSI（large-scale integration）部分。

根据市场人士估计，由于是生产DRAM的Line 12产线，以及生产NAND Flash的Line 13产线都属于制程比较落后的产线，因此受影响较大的部分的将会是在以EUV来生产系统半导体的领域，整体损失金额可能达到3,000万美元。

至于，会发生跳电的原因目前并不清楚。只是，以中国台湾的晶圆厂为例，在供电方面多半都设计有两套回路，分别由两个不同的变电所来供电，以降低因意外而发生跳电的风险。不过，如果发生大规模的天然灾害，例如地震而导致电厂停止运转的情况，这部分就另当别论。因此，这次韩国三星华城厂区在无发生重大天然灾害情况下，却发生跳电的情况，这个过程就必须好好地确认。

至于，这次的跳电事件是否会影响市场上DRAM及NAND Flash的价格，就如同2019年6月份，日本存储器大厂东芝在三重县四日市的厂区发生跳电，造成市场供货冲击的状况，目前还不得而知。

不过，日前三星才宣布，将在未来10年内投资超过千亿美元以发展系统半导体业务，已达成未来登上全球系统半导体业务龙头的计划，会不会因为这样的断电事件而受到影响，未来还需要进一步的观察。