关于国产芯的两个新消息，一个好的，一个坏的

芯片是当下最热门的元器件，一方面是因为智能设备都不开芯片，尤其是5G和物联网正在崛起的当下；

另外一方面是当下芯片紧缺，而芯片制造技术又掌握在少数企业中。

数据显示，全球范围内芯片制造企业屈指可数，尤其是先进制程芯片的技术，更是掌握在三星和台积电等少数企业中，特别是7nm以下制程的芯片。

在国内厂商中，中芯是芯片制造技术最为先进的企业，其中，14nm芯片已经进入规模量产，良品率达到业内水准，而N+1工艺的也已经小规模量产。

至于7nm、5nm等制程的芯片，由于EUV光刻机等方面的原因，暂时还无法量产，所以，美国修改规则后，台积电、三星等不能自由出货后，华为就面临一些问题。

在这样的情况下，国内企业开始加速向芯片领域内发展，其中，华为宣布全面进入芯片半导体领域，还要在新材料和终端制造方面突破瓶颈。

为此，华为自研了屏幕驱动芯片和海思桌面显卡芯片，甚至自建芯片生产线。

另外，国内不少企业和顶级研发机构也都展开芯片以及光刻机相关技术的攻坚，而中科院更是光刻机技术列为首要攻克的技术问题。

最主要的是，国内已经定下明确目标，要在未来几年内实现芯片70%的自给率，还将集成电路列入独立学科，加大集成电路人才的培养。

如今，关于国产芯的两个新消息，一个好的，一个坏的。情况是这样的。

首先是好消息。

要想生产制造芯片，必须要有光刻机，但最先进的EUV光刻机始终都没有到达国内厂商手中，要知道，EUV光刻机又是生产制造7nm以下芯片的必要设备。

也正是因为如此，国内顶尖研发机构以及团队都在研发突破先进光刻机的相关技术。

但就在近日，清华团队等宣布新结果，其在新型加速光源“稳态微聚束”研究中取得新的进展。

简单说就是，清华大学团队通过研究发现了一种新型的光源，这种光源是用于应用于EUV光刻和角分辨光电子能谱学等领域，意义重大。

要知道，光刻机中最重要的技术是光源技术，其决定了光刻精准，等于至决定了芯片制程，而在ASML的光刻机中，其一直都是采用美国光源技术。

也就是说，清华大学团队研发的成果，未来可应用在光刻机中，国产先进光刻机实现突破也就成为了可能，自然还会加速国产先进光刻机的到来。

有了先进制程的光刻机，国产自主量产先进制程的芯片自然水到渠成，毕竟目前的阻碍，主要就是没有先进的光刻机。

其次是坏消息。

因为美国修改规则，国内企业加速发展芯片产业，而芯片制造企业也像雨后春笋一般涌现，而投资千亿的弘芯就是其中之一。

不同的是，弘芯并非走台积电的路线，而是走三星、英特尔的路线，要集芯片研发、设计、制造于一体，建成后，主要研发生产制造14nm以及7nm以下制程的芯片。

为了实现这一点，弘芯不仅高薪从台积电挖人，还大量购买先进设备，仅一期厂房建设就投资高达580亿元。

但没有想到的是，投资千亿的弘芯，日前已经正式发出通知，要求员工主动办理离职手续，休假的员工可以通过线上办理，这正式意味弘芯项目落幕了。

最遗憾的是，其拥有一台先进制程的光刻机，型号为TWINSCANNXT:1980Di,其可以用于生产制造7nm制程的芯片。

对于这两个芯片你们怎么看，欢迎留言、点赞、分享。