南亚科加速10纳米制程研发 1A世代预计下半年试产

DRAM大厂南亚科获得美系资料中心大厂服务器用DRAM大单之后，公司决定加速10纳米高端制程研发脚步，除扩增资本支出之外，也增加研发人力，预期第一个世代的1A制程，可在下半年试产；10纳米第二世代1B制程，也可望提前在明年下半年试产。

据了解，南亚科的1A及1B，甚至第三世代1C，都将以切入毛利率较高的服务器用DRAM和标准型DRAM为重心，公司将藉制程推动，达到营收、获利稳步提升的目标。

南亚科已决定在10纳米制程技术自主，不再向美光寻求技术授权，凸显公司决策层认为已累积坚强的研发实力，未来可藉由扩充研发人力，在10纳米制程写下技术自主的新页。

南亚科在台塑集团支援下，董事会先前已通过将资本支出由新台币92亿元上调至157.6亿元，用以建置10纳米试产线，冲刺10纳米制程技术自主研发。

南亚科10纳米分成A、B、C三个世代，和美光原本的20纳米相比，就是南亚科采用的记忆储存细胞（Cell）可进行微缩，因此可由1A逐步推进至1B再到1C。

南亚科总经理李培瑛日前在法说会中透露，南亚科的1A世代已预定今年下半年试产，1B制程技术也开始研发阶段，且原订2022年前试产，但目前看来将会提前在2021年进行。

他透露，拓展服务器用DRAM是公司今年努力目标。上半年服务器用DRAM营收占比约低个位数，今年朝10%目标努力。

法人透露，南亚科服务器用DRAM，是在向美光取得20纳米授权基础下，成功以20纳米产生8Gb DDR4 DRAM。这项重大技术突破，也让南亚科有信心在10纳米达成技术自主。

据了解，南亚科的服务器用DDR 4 DRAM除了获北美资料中心大厂验证并出货，后续还包括中国大陆客户。