不受摩尔定律限制，ASML设计1纳米制程光刻设备

根据外媒报导，日前在日本东京举行的ITF（IMEC Technology Forum,.ITF）论坛上，与荷兰半导体大厂ASML合作研发半导体光刻机的比利时半导体研究机构IMEC正式公布了3纳米及以下制程在微缩层面的相关技术细节。

根据IMEC所公布的内容来分析，ASML对于3纳米、2纳米、1.5纳米、1纳米，甚至是小于1纳米的制程都做了清楚的发展规划，意味着ASML基本上已经能开发1纳米制程的光刻设备了。

报导指出，在论坛上，IMEC公司总裁兼执行长Luc Van den hove强调，将继续把制程技术微缩到1纳米及以下。对此，IMEC也提出了从3纳米、2纳米、1.5纳米、1纳米，甚至是小于1纳米以下的逻辑元件制程微缩路线图。

根据先前晶圆大工大厂台积电和三星电子介绍，从7纳米制程技术开始，部分制程技术已经推出了NA=0.33的EUV光刻设备，5纳米制程技术也达成了频率的提升，但对于2纳米以后的超精细制程技术，则依然需要能够达成更高的识别率和更高NA（NA=0.55）的光刻设备。

对此，目前ASML也已经完成了作为NXE:5000系列的高NA EUV光刻设备的基本设计，但商业化的时间则是预计最快在2022年左右。不过，这套下一世代的光刻设备将因其庞大的光学系统，使得整套设备将变得非常巨大。

事实上，过去一直与IMEC紧密合作开发半导体光刻技术，但为了开发使用高NA EUV光刻设备，ASML在IMEC的园区内成立了新的“IMEC-ASML高NA EUV”实验室，以达成共同开发和开发使用高NA EUV光刻设备的相关技术。此外，该公司还计划与材料供应商合作，进一步进行光罩和光阻剂。

Van den hove还指出，逻辑元件制程技术微缩的目的是为了降低功耗、提高性能、减少面积、以及降低成本，也就是通常所说的PPAC。除了这4个目标外，随着制程向3纳米、2纳米、1.5纳米，甚至超越1纳米而达到小于1纳米以下的制程之际，将努力实现可持续发展微处理器制程技术，以满足对未来先进科技应用的需求。