台积电10nm先进制程或超Intel 联发科沾光

　　台积电10纳米超车英特尔。外电报导，全球半导体龙头英特尔10纳米制程将会延后至2017年下半年，若至当年底才会量产，将落后台积电一至两季。

　　半导体三雄—英特尔、台积电、三星近年在先进制程进度大车拚，总是由英特尔领先。三雄的先进制程推进脚步，攸关对苹果、高通、联发科等重量级客户的抢单能力。

　　台积电因先行布局20纳米，使得16纳米稍有落后，让三星分食一部分苹果A9处理器订单，市场亦屡传英特尔有意抢苹果订单，半导体三雄的下一场战役将落在10纳米制程。

　　英特尔迟迟未正式对外说明10纳米进度，但据知名财经网站The Motley Fool指出，英特尔公关部门证实，首颗10纳米产品将依计画在2017年下半年如期推出，对照台积电预定今年底量产10纳米的时程，最长恐会落后一年。

　　据英特尔规划，10纳米处理器将会推出三个产品线，分别是在2017年量产的Cannonlake系列处理器、2018年的Icelake以及2019年下半年的Tigerlake系列处理器。

　　英特尔与台积电先进制程比一比 图／经济日报提供

　　在10纳米之后，目前外界认为，英特尔的7纳米产品应该会在2020年上市，并可能在2022年跨入5纳米世代。

　　相较之下，台积电16纳米制程今年大幅冲刺市占，遥遥领先对手三星。台积电董事长张忠谋日前在法说会上强调，台积电未来在10纳米制程也会以高市占率大幅领先对手。这项谈话反映台积电不仅在纳米制程大幅甩开对手三星，在10纳米也会超越英特尔。

　　台积电共同执行长暨总经理刘德音说，台积电10纳米和7纳米制程照既定计画进行，除10纳米试产良率持续提升，台积电今年首季也完成首颗7纳米制程生产静态存取记忆体（SRAM）产出，预定2018年第1季完成产品设计定案，主要生产据点将座落于中科。

　　台积电制程超对手 联发科沾光

　　台积电10纳米制程超车英特尔、三星等竞争对手，涉及客户端间的竞争态势，对于身为首波10纳米客户之一的联发科而言，相对有利。

　　联发科主要竞争对手为高通和展讯，其中，联发科在先进制程以台积电为主，高通已转向三星，展讯则选择大股东之一的英特尔，与台积电两家大厂一起供应。

　　在台积电与英特尔、三星的14/16纳米竞赛中，联发科先选择台积电的20纳米制程推出今年主打的最高阶手机晶片曦力“Helio x20”，高通的骁龙820则在三星以14纳米制程生产。

　　联发科原规划在今年投入台积电16纳米制程，但因16纳米制程起步已较展讯略晚，加上今年高阶手机呈现卖不动的迹象，因此日前已重修产品蓝图，计画跳过16纳米制程，直攻10纳米。

　　目前联发科已将研发主力集中在这一颗10纳米产品，改为10纳米制程的“Helio x30”计画在今年底就要对客户送样，明年初就要量产。

　　当台积电的10纳米制程顺利领先三星和英特尔，代表联发科的10纳米产品将可望跟着领先高通、展讯等竞争对手，有利于抢进品牌手机厂的旗舰机种，并拉升产品均价（ASP）表现。