EPC推出100V，25mΩ的eGaN功率晶体管

位于美国加利福尼亚州埃尔塞贡多的宜普电源转换公司（EPC）公司推出了一款100V GaN晶体管，最大RDS（on）为25mΩ，小尺寸的高效电源转换的脉冲输出电流为37A——EPC2051。这款晶体管主要将硅上eGaN功率场效应晶体管（FET）在电力管理上应用。

公司指出：EPC2051尺寸仅为1．30mm x 0．85mm（1．1mm2） － 比同类硅MOSFET小30倍 － 因此他的应用要求更高效率和功率密度而不再仅从尺寸和性能之间做出选择。尽管EPC2051采用50V－12V降压转换器的芯片级封装占用空间小，但EPC2051在4A切换，输出500kHz时，效率可达到97％。此外，当GaN FETEPC与硅MOSFET在性能上相当时，EPC2051展现出更低的成本。

因此，由于尺寸小和成本低的优点，EPC2051被应用于计算和电信系统的48V输入功率转换器，LiDAR，LED照明和D类音频等方面。

宜普电源转换公司CEO Alex Lidow说：“由于eGaN基功率器件在高频下仍旧能够有效运行的能力使得其与硅基功率器件在性能和成本上行程了差距。”

EPC9091开发板是采用EPC2051的100V最大器件电压半桥和uPI半导体的UP1966A栅极驱动器。这款2＂x 2＂（50．8mm x 50．8mm）电路板专为实现最佳开关性能而设计，并包含了所有关键元件以便于评估100V EPC2051 eGaN FET。

据悉，EPC2051 eGaN FET的千片批购价为0．67美元，100，000片批量为0．37美元。 EPC9091开发板的单价为118．75美元。 这两款产品均可从分销商Digi－Key Corp．即时交付。