三星、台积电将成FinFET制程双雄说法有哪些依据？

　　Research and Markets 近期发布了 《2016-2022 年FinFET的全球市场报告》。报告分成了如下几个方面：技术（22nm，20nm，16nm，14nm，10nm，7nm），产品（CPU，SoC，FPGA，GPU，MCU和网络处理器），终端用户（智能手机，电脑和平板电脑，可穿戴设备和自动汽车）以及地区。

　　该报告涵盖了FinFET 市场的各个方面，如技术、产品、终端用户和覆盖领域。22nm工艺节点预计将占全球FinFET市场的最大份额。在预测期时间内，7nm FinFET工艺因各种芯片制作的需求而有望成为发展最快的技术。

　　在产品层面上看，FinFET市场被分割成了CPU、系统芯片、FPGA、GPU、MCU和网络处理器。CPU在2015年已经引领过市场；而预测时间的范围内，GPU预计将以复合年增长率最高的形式发展。智能手机应用的处理器与CPU的发展情况类似。2015年，三星（韩国）凭借其 Exynos Octa7 芯片采用的14nm FinFET技术而引导了市场发展。2016年，其下一代芯片Exynos系列（Exynos Octa 8）由于有着更多的功能和更高的性能，被认为有望一统智能手机领域的大局。

　　2016年到2022年，预估计亚太地区的市场将迅猛增长。该地区对高端智能手机需求的不断增长推动了FinFET市场的快速增长。三星（韩国）是在该技术领域中，使用14nm工艺制造芯片的第一家公司。Exynos Octa 7被三星用在了Galaxy S6的手机中。当然，这两个关键角色——台积电（台湾）和三星（韩国）的存也使得FinFET技术在本地区的知名度被广泛提高。台积电（台湾）和三星（韩国）采用的FinFET技术已经被苹果公司（美国）的A9处理器所采用。

　　另一方面，抑制 FinFET 发展的因素是技术上其设计过程的复杂性。目前 FinFET 技术的主要挑战是如何降低晶圆的成本，以及 FD-SOIS 的栅极成本。比起体硅的CMOS 和FinFET 器件，晶圆和 SOI 上的栅极成本已经低了不少，并且同事还要兼顾到加工和掩模的过程、工具折旧、管芯尺寸缩小以及参数良率。更低成本的 FDSOI 技术也是对FinFET 技术的一个主要挑战，因为在性能上着两种技术相差无几，前者还能以较低成本提供相同或更好的功耗。

　　市场的主要参与者是英特尔（美国）、台积电（台湾）、三星（韩国）、格罗方德半导体（美国）。

　　调查范围

　　研究的FinFET技术细分到了如下领域

　　技术层面：

　　- 22nm - 20nm - 16nm - 14nm - 10nm - 7nm

　　产品层面：

　　- CPU - SoC - FPGA - GPU - MCU - 网络处理器

　　终端用户层面：

　　- 智能手机 - 电脑或平板电脑– 可穿戴设备 - 高端网络 – 自动汽车

　　涉及公司：

　　- ARM- Globalfoundries - 英特尔 - 联发科 - 高通 - 三星电子 - 中芯国际 - 台积电(TSMC） - 联华电子 - Xilinx