英特尔/台积电/三星谁握有最佳半导体制程技术？

　　究竟谁握有最佳的半导体制程技术？业界分析师们的看法莫衷一是。但有鉴于主题本身的复杂度以及芯片制造商本身传递的讯息不明确，就不难瞭解为什么分析师的看法如此分歧了。

　　市 场研究机构Linley Group首席分析师Linley Gwennap表示，英特尔（Intel）将在10nm制程优于台积电（TSMC）与三星（Samsung），就像在14nm时一样。VLSI Research执行长G. Dan Hutcheson认为，台积电即将量产的10nm制程将大幅超越英特尔的14nm节点，而且台积电正以较英特尔更快的速度超前进展。此 外，International Business Strategies （IBS）创办人兼执行长Handel Jones则指出，英特尔与台积电的10nm制程技术性能旗鼓相当。

　　但各方均同意，有多种变数决定了元件如何制造，对于不同类型芯片的影响也各不相同。分析师们也把责任归咎于行销部门，认为他们经常是让情况变得更加模糊，而非厘清现实。

　　“事实上，没有一种衡量方式能够决定一项技术的性能、功耗与电晶体密度，”Jones说，“金属层M1间距十分重要，但局部互连也会影响到布线的闸极密度与性能；闸极间距对于闸极密度相当重要，但鳍片高度也明显影响性能。”

　　“互连延迟正成为重大的挑战，尤其是在10nm时有80%的性能都取决于互连延迟的影响，”他补充说。

　　从Linley Group的衡量指标来看，英特尔比台积电和三星更具优势（来源：Linley Group）

　　FinFET的高度与线宽可作为衡量技术节点与芯片制造商实力的良好指标。Hutcheson认同这一观点，他并表示，SRAM的单元尺寸也值得考虑。

　　但是，“我认为技术进展的终极衡量标准在于随着每一技术节点倍增密度的能力，”Hutcheson说，“英特尔至今在每一节点都是这么做的。”

　　也就是说，台积电在10nm达到的M1金属层间距已“完整微缩（？70%），领先英特尔的14nm，”Hutcheson强调，英特尔持续14nm节点已经2年了。

　　随着近期披露10nm与7nm计划，“台积电不仅证明拥有扳回胜局的魔力，同时还踩着比任何人更快的进展步调，”他补充说。

　　同时，尽管在今年1月，一些业界还不那么看好其16/14 nm节点，但台积电目前的16nm节点“在相同的时间架构下，已经在营收与良率方面双双超越了28nm，”他强调。