Intel：为什么手机这么热？ 因为台积电和三星说谎了

　　手机主控性能、发热与制造工艺之间的关联性“古已有之”，但真正引起人们的关注是从去年某个“旗舰主控”的悲剧开始的——“20nm”制程的骁龙810无论是性能还是功耗控制上都惨败于“14nm”制程的三星Exynos 7420，制造工艺上的区别第一次被如此大规模地摆在市场和消费者面前。

　　虽然一时落后于竞争对手，但连年市场占有率登顶的台积电对未来仍然充满希望——据台积电透露，他们准备在2017年量产10nm工艺，一年之后即升级到7nm——相比之下，业界巨头Intel（英特尔）要到17年下半年才能小批量投产10nm，7nm更是遥遥无期。看起来，台积电甚至有望“超车”Intel？

　　然而，事实是，同为10nm，台积电的工艺和Intel完全不在一个水平上，更准确地说，台积电（还有他的好基友三星）在半导体制程的衡量方式上“说了谎”、导致最终的产品性能“被注水”！

　　一次提问揭开的业界黑幕

　　7月14日，在台积电的季度新闻发布会上，有分析师当场质疑台积电两年后的7nm工艺，要求台积电公布其与Intel 10nm工艺的性能对比——台积电的高层拒绝回答，但这一意外事件随即揭开了困扰业界、媒体多时的半导体工艺“数字魔术”问题。

　　事实上，台积电的工艺夸大问题在客户群体当中早就不是秘密。有业内人士甚至指出，台积电目前量产的最尖端工艺──独吃苹果A10处理器的16纳米工艺，性能上仅相当于英特尔的20纳米工艺。

　　台积电大客户、世界最大IC设计公司高通首席技术官葛罗布(Matt Grob)被问到这个问题时，他毫不迟疑的大声说“没错!(YES)”。“这些晶圆代工业者都想办法把数字弄得愈小愈好，”葛罗布说。不只台积电，三星与格罗方德（原AMD旗下半导体工厂，现AMD主要代工厂）的工艺数字都存在不同程度的“水分”。

　　三星领头造假，其他厂积极参与

　　出现这种问题的根源在于各家都使用了有利于自己的测量方法——而不是一个业界统一的度量衡。据一位前台积主管向媒体透露，始作俑者是三星，而时间点则是在整个产业导入全新的鳍式场效应晶体管（FinFET）时，约在2、3年前。

Intel、台积电和三星的“14nm”FinFET芯片内部结构尺寸对比（越小越好）