AMD跳过了10nm工艺 但GF的12nm FD-SOI工艺三年后就流片了

　　目前业界量产的半导体工艺是14/16nm FinFET，下一个节点是10nm FinFET，主要竞争者是Intel、三星及TSMC，AMD及好基友GlobalFoundries已经决定跳过10nm，直接推出未来的7nm工艺，不过7nm工艺量产至少要到2020年之后，指望14nm撑过5年也不太现实，GlobalFoundries原来还留有一手——他们宣布2019上半年将流片12nm FD-SOI工艺。

　　对于半导体工艺，目前主流的选择是从2D晶体管走向3D晶体管，也就是FinFET鳍式晶体管，Intel最为领先，从22nm节点就开始用FinFET工艺了。现在TSMC、三星及GlobalFoundries的16nm、14nm也使用FinFET技术了，未来也会继续坚持下去。

　　之前了解过AMD处理器的玩家可能知道，AMD处理器在半导体工艺上虽然一直落后Intel，但却有独特的技术——SOI（绝缘体上硅），这是跟蓝色巨人IBM合作的，有个说法认为SOI技术可将制程工艺提升半代水平，可见其性能之优秀。

　　不过AMD从32nm工艺之后就放弃了SOI工艺，但GlobalFoundries一直有SOI工厂（尽管制程已经落后），后来还收购了IBM的晶圆厂，后者的Power 8处理器就是SOI工艺生产的，前不久发布的Power 9处理器依然会使用10nm级别SOI工艺生产，所以不论从哪方面来看，GlobalFoundries都不能跟SOI工艺说再见。

　　去年中GlobalFoundries宣布将向外界提供22nm FD-SOI（全耗尽型SOI工艺，简称22FDX）工艺代工，虽然22nm线宽听上去比目前16/14nm工艺要落后，但GF表示其22FDX工艺能提供22nm FinFET工艺级别的性能、功耗，但制造成本与28nm工艺相当，适用于IoT物联网、主流移动芯片、RF射频及网络芯片等。

　　日前GlobalFoundries公司又宣布了FD-SOI工艺的另一个进展——他们正在开发12nm FD-SOI工艺（简称12FDXTM），它是22nm FD-SOI工艺的后续，性能相当于10nm FinFET工艺，但功耗低得多，而制造成本比16nm FinFET工艺还要低。

　　根据官方消息，12FDXTM工艺将提供业界最宽泛的动态电压，通过软件控制晶体管能力可带来无与伦比的设计弹性，在需要时提供最高性能，静态时则会具备更高能效。

　　由于上述优点，12FDXTM工艺适合各种移动芯片、5G、RF射频、嵌入式存储及汽车电子芯片等。GlobalFoundries正在德国德累斯顿Fab 1晶圆厂推进12FDXTM工艺研发，预计2019年上半年有客户芯片流片。

　　值得注意的是，GlobalFoundries拉来为12nm FD-SOI工艺展台的公司和单位有中科院上海微电子研究所所长Xi Wang博士、NXP半导体、VeriSilicon半导体、CEA Tech及Soitec等。

　　GlobalFoundries公布12nm FD-SOI工艺之后，这也能解释他们为什么放弃10nm FinFET工艺了，因为已经有了性能类似的12nm SOI工艺了，但是GlobalFoundries的SOI工艺客户主要是低功耗芯片厂商，并没有见到AMD的身影，但AMD也不可能一直用14nm撑到2020年甚至更久之后的7nm工艺，前不久他们与GlobalFoundries的晶圆供货协议中有提到AMD有权选择其他代工厂，并将为此支付GlobalFoundries一笔费用。