中芯国际有望超过联电 成为全球晶圆代工三哥

　　中芯国际是中国最大的半导体代工厂，其代表着中国半导体制造的最先进水平，近期其先后发布两大消息--2018年量产16nm和今年投资金额提升到25亿，两项指标都超过了全球第三大代工厂联电，这似乎预示着它正有望超过联电成全球第三大代工厂。

　　目前在制造工艺方面，三星已取得领先地位，刚刚量产了10nm工艺，而台积电预计在年底量产10nm，这两家处于第一阵营，是直接的竞争对手。

　　格罗方德通过购买三星的14nmFinFET工艺成为第三家量产该工艺的代工厂，不过它多年亏损，发展前景并不明朗，更传出要出售给中国企业的消息，在当前全球发展最快并已成为全球最大芯片市场的中国市场并没赢得多少客户，与中芯国际的竞争并不明显。

　　相比之下，与中芯国际竞争最直接的就是联电了。联电在过去十多年时间一直是前年老二，位居台积电之下，其将希望放在中国市场，希望在这一市场获得“第二春”，早早在大陆市场设立了和舰科技，目前在大陆厦门正努力建设其12英寸晶圆厂，本欲在今年底投产并引入28nm工艺的，但是目前由于其14nm工艺尚未量产而台湾当局要求它在台湾采用领先一代的工艺，让它陷入两难。

　　即使联电明年上半年如期量产14nmFinFET工艺，其在厦门引入的也只是28nm工艺，与中芯国际处于同一水平，鉴于本地化因素的影响估计大陆多数客户在比较之下还是会选择选择中芯国际的，联电在大陆的竞争力并不大。

　　在投资金额方面，联电今年的投资金额为22亿美元，在中芯国际将今年的投资额提升到25亿美元后，这是中芯国际首次在投资金额方面超越联电，这将加速中芯国际的半导体制造工艺研发进程，或许真能如它所愿赶在2018年量产14nmFinFET工艺，那时候中芯国际相较联电的竞争优势会更明显。

　　台积电计划于2018年投产的南京工厂也正是引入16nmFinFET工艺，面对中芯国际14nmFinFET工艺的投产，其要么是引入更先进的10nm工艺不然由于本地化的关系同样难以与中芯国际竞争。

　　2015年前五大半导体代工厂中，中芯国际以13.1%的增速位居第一，IC insights预计其今年的销售额可以达到28.5亿美元同比增长达到27%，继续在前五大半导体代工厂中位居增速第一，如以20%的增速计算到2020将接近60亿美元。

　　而联电去年的营收为45.6亿美元，同比下滑1.3%，是前五大代工厂中唯一一家同比出现下滑的，在其寄予厚望的大陆市场遭受中芯国际和台积电抢单的情况下其能否保持增长成为疑问，因此业界认为中芯国际最快将在2020年赶超联电成为全球第三大半导体代工厂。