群雄逐鹿ReRAM 中芯国际出样意义有多大？

作为中国本土半导体制造的龙头企业，中芯国际（SMIC）的新闻及其取得的成绩一直是行业关注的焦点。2017新年伊始，其一如既往地吸引着人们的眼球。前几天，该公司宣布正式出样采用40nm工艺的ReRAM（非易失性阻变式存储器）芯片，并称更先进的28nm工艺版很快也会到来。

目前，在ROM存储领域，NAND闪存无疑是绝对的主流，保守点说，3、5年内它都会是电子设备存储芯片的主流选择，但研究人员早就开始探索新一代非易失性存储芯片了，Intel与美光联合研发的3D XPoint，是基于PCM相变存储技术，也被称为是新一代存储芯片，而ReRAM更是颇具代表性的新型非易失性存储器。

ReRAM为何物

虽然ReRAM的名字中带RAM，但其实是像NAND闪存那样用作数据存储的ROM，只不过它的性能更强，据说，其密度比DRAM内存高40倍，读取速度快100倍，写入速度快1000倍。ReRAM单芯片（200mm2左右）即可实现TB级存储，还具备结构简单、易于制造等优点。

ReRAM基于忆阻器原理，将DRAM的读写速度与SSD的非易失性结合于一身。换句话说，关闭电源后存储器仍能记住数据。如果ReRAM有足够大的空间，一台配备ReRAM的PC将不需要载入时间。

ReRAM的优势

与NAND闪存相比，ReRAM具备诸多优点，具体如下：

速度：ReRAM写速度更快，以纳秒为单位而不是毫秒，这使它更适应于高性能应用。

功率：研究人员已经证明，微安培写入功率并期望很快将进一步降低到纳安范围，这使得ReRAM比NAND闪存能效更高。

耐用性：最常见的MLC闪存只能处理10000次写操作，而ReRAM却可以处理数百万个。

ReRAM应如何定位

在可预见的未来，NAND闪存将保留在成本和密度上的优势,这意味着它仍将在未来几十年存活下去。那么ReRAM在存储应用中要如何定位呢？

数据完整性：关键任务应用更喜欢ReRAM，而且关键是买得起；

性能：固态硬盘这种高速存储介质消除了复杂性并提高了性能；

移动性：网络宽带和内存容量之间进行着一场永无止境的拉锯战，在这种情况下，消费者可能会喜欢上他们移动设备的大容量存储。如果是这样, ReRAM节能的优点将在高端产品有所体现。